时间：2025/11/13 9:07:19
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CL05B681JB5NNNC 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷贴片电容（MLCC）。该器件属于高稳定性的C0G（NP0）温度特性系列，具有优异的电气性能和温度稳定性，适用于对电容值精度和稳定性要求较高的电路设计。该型号采用标准的0201英寸尺寸（0.6mm x 0.3mm），额定电压为50V，标称电容值为680pF，容差为±5%（J级），介质材料符合EIA C0G规范，确保在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值变化极小。由于其小型化、高可靠性和优良的高频特性，CL05B681JB5NNNC广泛应用于射频（RF）电路、高速数字系统、精密模拟电路以及便携式消费类电子产品中。
该器件采用无铅、无卤素的环保材料制造，符合RoHS指令要求，并具备良好的焊接可靠性，适用于回流焊工艺。其结构设计优化了寄生参数，降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频应用中表现出色。此外，C0G材质的MLCC几乎不受电压、频率和时间老化的影响，长期使用中电容值保持高度稳定，是替代传统引线式陶瓷电容的理想选择。
产品类型：陶瓷电容
技术类别：MLCC（多层陶瓷电容器）
外壳尺寸（英寸）：0201
外壳尺寸（毫米）：0603
电容值：680pF
容差：±5%
额定电压：50V
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：C0G（NP0）
安装方式：表面贴装（SMD）
端接形式：镍障层/锡外镀层（Ni-Sn）
符合标准：RoHS、无卤素
CL05B681JB5NNNC 采用先进的多层陶瓷工艺制造，具备卓越的电学稳定性与环境适应能力。其核心介质材料为C0G（也称NP0），这是一种具有零温度系数的陶瓷配方，能够在整个工作温度范围内实现电容值的变化控制在±30ppm/°C以内，远优于X7R、Y5V等其他介质类型。这种极高的温度稳定性使得该电容非常适合用于振荡器、滤波器、谐振电路、相位锁定环（PLL）等对频率稳定性要求严苛的应用场景。
该器件的电容值几乎不受施加直流偏压的影响，在额定电压下仍能维持接近标称值的容量表现，而不会像高介电常数材料（如X7R或Z5U）那样出现显著的容量衰减。这一特性使其在电源去耦、信号耦合和阻抗匹配等关键节点中表现优异。同时，由于C0G材料本身不具有铁电性，因此不存在老化现象，电容值不会随时间推移而下降，保障了产品在整个生命周期内的可靠性。
在高频性能方面，CL05B681JB5NNNC 凭借其微小的封装尺寸和优化的内部电极结构，有效降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），可在数百MHz甚至GHz频段内保持低阻抗特性，适合用作射频放大器、混频器和天线匹配网络中的旁路或调谐元件。此外，0201的小型化封装有助于节省PCB空间，满足现代电子设备向轻薄化、高密度集成发展的趋势。尽管该尺寸对贴装工艺要求较高，但三星电机通过严格的制造控制确保了产品的可焊性和机械强度，适用于自动化贴片生产线。
CL05B681JB5NNNC 主要应用于对电容稳定性、精度和高频响应有严格要求的电子系统。典型应用场景包括移动通信设备中的射频前端模块（RF Front-End Modules），如功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和天线开关模块（ASM）中的偏置去耦和匹配网络；在无线局域网（WLAN）、蓝牙、GPS 和5G模组中作为滤波和调谐元件使用。
此外，该器件也广泛用于高速数字电路中的电源去耦，特别是在FPGA、ASIC和微处理器的I/O供电路径中，提供稳定的高频旁路路径，抑制噪声干扰。在精密模拟电路中，例如运算放大器、比较器和ADC/DAC接口电路中，该电容可用于信号耦合、积分定时和RC滤波，确保信号完整性。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和TWS耳机中大量采用此类微型高稳定性电容，以实现高性能与小型化的平衡。工业控制、汽车电子（非动力系统）以及医疗监测设备中也需要这类长寿命、高可靠性的被动元件来保证系统运行的稳定性。
GRM0335C1H681JA01D
CC0201-681J-50v-CG
GCM0335C1H681JA16D
CL05A681JB5NNNC
RSX105B681J
