品牌：SAMSUNG
　　型号：CL03KT3N3
　　封装/尺寸：0603 (1608)
　　电容值：3.3pF
　　额定电压：50V
　　电容容差：±10%
　　电介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：0±30ppm/°C
　　直流偏压特性：无明显容量下降
　　老化率：不适用（C0G材料无老化效应）
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 ≥100GΩ·μF
　　介质耐压：≥1.5倍额定电压
　　包装方式：卷带（Tape & Reel）

CL03KT3N3所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料赋予了该电容卓越的电气稳定性，其最显著的特点是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着在极端环境条件下仍能保持极其精确的电容值，非常适合对频率稳定性要求极高的应用场景，例如石英晶体振荡器的负载电容、PLL环路滤波器以及射频前端模块中的阻抗匹配网络。该电容的容差控制在±10%，相比普通J级（±5%）虽略宽，但在实际高频应用中已足够精确，且有助于降低制造成本。由于C0G材料本质上是非铁电性的顺电材料，因此CL03KT3N3不具备铁电材料常见的电压依赖性，即使在接近额定电压下工作，其电容值也不会发生明显下降，确保了在各种偏置条件下的性能一致性。
　　此外，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在GHz级别的高频范围内依然保持优良的阻抗特性，有效减少能量损耗并提升电路效率。其微型0603封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高了组装良率与生产效率。CL03KT3N3不含铅，符合RoHS和REACH环保指令，并通过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）、可焊性测试等，保证在复杂环境下的长期稳定运行。对于需要高Q值、低相位噪声和优异信号完整性的射频与模拟电路而言，CL03KT3N3是一个理想的选择。

CL03KT3N3因其出色的频率稳定性和低损耗特性，广泛应用于各类高性能模拟与射频电路中。在无线通信系统中，它常被用作射频功率放大器（PA）输出端的匹配电容、天线调谐网络中的谐振元件、低噪声放大器（LNA）输入端的耦合与匹配组件，以及滤波器电路中的关键元件，以确保信号传输的高效与稳定。在时钟生成电路中，该电容作为晶体振荡器的负载电容，直接影响振荡频率的精度与稳定性，其C0G材质可避免因温度波动引起的频率漂移，从而保障系统的时序准确性。在高速数字系统中，如FPGA、ASIC或微处理器的电源去耦网络中，虽然大容量去耦多由X7R或X5R材质承担，但CL03KT3N3可用于高频噪声旁路，特别是在GHz频段附近提供低阻抗通路，抑制高频干扰。此外，在测试测量仪器、医疗电子设备、航空航天电子系统以及汽车雷达和车载信息娱乐系统中，对元件长期可靠性与环境适应性要求极高，CL03KT3N3凭借其车规认证和稳定的电气性能成为优选方案。其小型化设计也使其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品中，满足现代电子设备向轻薄化发展的需求。

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　　 "GRM188R71E3R3C0D",
　　 "CC0603JRNPO9BN3R3",
　　 "GCM188R71H3R3CA01D",
　　 "CL05A3R3B5NNNC"
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