电容值：9.1 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：25 V DC
　　温度特性：COG (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0201 (0.6mm x 0.3mm)
　　介质材料：Ceramic (COG/NP0)
　　端接类型：Ni-Sn Plated
　　产品系列：CL03C
　　安装类型：Surface Mount
　　直流电阻（DCR）：非常低，典型值小于1 mΩ
　　绝缘电阻：≥100 GΩ
　　时间常数：≥100,000 MΩ·μF
　　自谐振频率（SRF）：典型值约 5.8 GHz
　　等效串联电感（ESL）：约 0.25 nH
　　老化率：0% per decade

CL03C9R1BA3GNNH所采用的COG（即NP0）陶瓷介质是目前所有电介质中温度稳定性最高的类型之一，能够在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）保持电容值几乎不随温度变化，其电容变化率不超过±30 ppm/°C，远优于X7R、X5R等其他常见介质。这种极高的稳定性使其成为高频谐振电路、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）滤波网络和射频前端匹配电路中的首选元件。由于不存在铁电材料导致的非线性效应，COG电容在整个电压范围内也表现出极其稳定的电容特性，不会因施加直流偏压而发生显著容量下降，这与高介电常数材料如Y5V或Z5U形成鲜明对比。
　　该器件具备出色的高频性能，得益于其微型0201封装带来的极低等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使得它在GHz级别的射频应用中依然能够有效工作，自谐振频率可达5.8 GHz以上，从而保证在高频段仍维持接近理想电容的行为。这对于5G通信、Wi-Fi 6E、蓝牙和毫米波雷达等高速无线系统至关重要。
　　在可靠性方面，CL03C9R1BA3GNNH经过严格的环境测试验证，包括高温高湿偏置（H3TRB）、温度循环（TC）、耐焊接热冲击等，确保在恶劣工况下长期运行不失效。其镍阻挡层端子结构有效防止银迁移现象，提升抗湿性和长期可靠性，特别适用于高湿度环境下的产品。同时，锡覆盖层兼容无铅回流焊工艺，适应现代SMT生产线需求。
　　此外，该器件具有极低的介电吸收和几乎为零的老化速率，适用于精密模拟采样保持电路、ADC参考电压旁路、时钟信号耦合等对信号完整性要求极高的场合。整体来看，CL03C9R1BA3GNNH是一款集小型化、高性能、高可靠性和环保合规于一体的高端MLCC产品。

CL03C9R1BA3GNNH因其卓越的温度稳定性和高频特性，广泛应用于对性能和空间布局有极高要求的电子系统中。在射频（RF）和微波电路中，它常用于LC谐振回路、阻抗匹配网络、带通滤波器和天线调谐电路，尤其适合5G移动终端、Wi-Fi模组和蓝牙低功耗（BLE）设备中的高频信号处理环节。其稳定的电容值可确保射频链路的频率响应一致性，减少因温漂引起的失谐问题。
　　在精密模拟电路中，该电容常用于运算放大器反馈网络、有源滤波器、ADC/DAC参考电压去耦以及时钟振荡器负载电容，以保障信号链的线性度和稳定性。由于其无老化、低损耗的特性，在医疗仪器、测试测量设备和工业控制系统的高精度传感器接口中也有广泛应用。
　　在数字系统中，尽管大容量去耦通常由X7R或X5R电容承担，但CL03C9R1BA3GNNH可用于关键节点的高频噪声滤除，例如高速处理器的PLL电源去耦或时钟输出耦合，有效抑制高频抖动。此外，其0201小型化封装非常适合高密度PCB布局，常见于智能手机、TWS耳机、智能手表和其他可穿戴设备中，帮助实现更紧凑的产品设计。

GRM022C70D9R1BA01D
　　CC0201-9R1B-A-X7R
　　CL03A9R1BA3N