尺寸代码：0201 (0603公制)
　　电容值：2.6pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：3.0V DC
　　电介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0±30ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　最大厚度：0.33mm
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡涂层
　　可靠性：符合AEC-Q200（如适用）
　　无铅、符合RoHS标准

CL03C2R6BA3GNNC 采用C0G（NP0）类电介质材料，这是目前最稳定的陶瓷材料之一，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值。其温度系数为0±30ppm/℃，意味着在-55℃至+125℃的宽温区内，电容值几乎不随温度变化而漂移，这对于高精度振荡电路、滤波器和匹配网络至关重要。此外，C0G材料还表现出极低的介电损耗（tanδ ≤ 0.15%），确保了在高频应用下的高效能表现。
　　该电容器具有优异的频率响应特性，在GHz级别的射频电路中仍能保持良好的阻抗特性和Q值，因此非常适合用于射频放大器、混频器、天线匹配电路以及高速数字信号的去耦。其微小的0201封装尺寸（0.6mm × 0.3mm）极大地节省了PCB空间，满足现代电子产品小型化和高集成度的设计需求。同时，这种小尺寸也降低了寄生电感，有助于提升高频性能。
　　结构上，CL03C2R6BA3GNNC采用多层叠层工艺制造，内部由多个陶瓷与金属电极交替堆叠而成，形成高可靠性的内部连接。外电极采用镍阻挡层和锡涂层结构，提供了良好的可焊性和抗迁移能力，确保回流焊接过程中的稳定性和长期使用的耐久性。产品符合RoHS指令，不含铅及其他有害物质，适用于环保型电子产品生产。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的环境测试，包括高温高湿偏压测试（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐焊接热测试，表现出出色的长期稳定性。尽管其额定电压仅为3.0V，限制了其在高压电路中的使用，但在低压、高稳定性的应用场景中，它仍然是理想选择。

CL03C2R6BA3GNNC 主要应用于对电容稳定性要求极高的高频和射频电路中。典型用途包括智能手机中的射频前端模块（RF Front-End Module），用于功率放大器输出匹配、天线调谐网络和滤波器电路，以确保信号传输的精确性和稳定性。由于其C0G材质带来的零温度漂移特性，该电容器常被选用于压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和晶体振荡器旁路电路中，防止频率偏移，提升系统时钟精度。
　　在无线通信设备如Wi-Fi模组、蓝牙模块和5G射频单元中，该器件用于高频信号路径的耦合与去耦，有效抑制噪声并提高信噪比。其小尺寸优势使其成为高密度PCB布局中的关键元件，尤其适用于可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等空间受限的产品。
　　此外，该电容器也广泛用于精密模拟电路，例如运算放大器反馈网络、ADC/DAC参考电压滤波、传感器信号调理电路等，其中微小的电容漂移都可能影响整体系统性能。在汽车电子领域，虽然该型号未明确标注通过AEC-Q200认证，但类似规格的CL03系列已被用于车载信息娱乐系统和ADAS传感器模块中的低电压信号处理部分。总之，任何需要高频稳定性、温度不变性和小型化的电子系统均可考虑采用此型号。