产品类型：陶瓷电容器
　　电容值：5.6pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　温度系数：0±30ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　封装尺寸：0201（0603公制）
　　长度：0.6±0.05mm
　　宽度：0.3±0.05mm
　　高度：0.27mm Max
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 R*C ≥ 10000MΩ·μF
　　损耗因数（DF）：≤0.1%
　　电容变化率：±30ppm/℃（C0G特性）
　　老化率：不适用（C0G为非铁电材料，无老化效应）

CL02ST5N6所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质是目前最稳定的电容器介质之一，具有极佳的温度稳定性、电压稳定性和频率响应特性。其电容值在-55℃至+125℃的工作温度范围内几乎不随温度变化，温度系数仅为0±30ppm/℃，这意味着在整个温度区间内电容的变化极其微小，远优于X7R、Y5V等其他类型的陶瓷介质。这种高度稳定性使其成为精密模拟电路、高频谐振电路和射频匹配网络中的理想选择。
　　该器件的电容值偏差控制在±0.1pF以内，精度极高，适用于对电容值敏感的应用场景，如LC振荡器、带通滤波器和天线调谐电路。此外，由于C0G材料是非铁电性材料，不会出现像X7R或Y5V那样的电压依赖性电容下降现象，即使在接近额定电压下工作，其电容值仍能保持恒定，保证了系统性能的一致性。
　　CL02ST5N6还具备极低的介质损耗（DF ≤ 0.1%），这使得它在高频应用中能量损耗极小，发热少，效率高，特别适合用于GHz级别的无线通信模块中。同时，由于其无老化特性，电容值不会随着时间推移而衰减，长期使用中无需考虑补偿设计，提高了系统的长期可靠性。
　　在机械结构方面，0201封装尺寸极小，有助于节省PCB空间，提升布板密度，适应便携式设备和高集成度模块的设计需求。尽管尺寸微小，但其端电极采用镍阻挡层和锡外涂层结构，提供了良好的可焊性和抗迁移能力，有效防止银离子迁移导致的短路问题，增强了在恶劣环境下的耐久性。整体而言，CL02ST5N6是一款兼具高性能、高可靠性和小型化的高端MLCC产品。

CL02ST5N6因其卓越的电气稳定性和高频性能，广泛应用于各类对电容稳定性要求极高的电子电路中。首先，在射频（RF）前端模块中，该电容器常用于阻抗匹配网络，帮助实现天线与发射/接收链路之间的最大功率传输，提升信号质量与通信距离。其次，在无线通信设备如智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙模组和物联网终端中，CL02ST5N6被用于LC振荡器电路中作为定时元件，确保频率输出的精确与稳定，避免因环境变化引起的频偏问题。
　　此外，该器件也常见于各类滤波器设计中，特别是在带通滤波器和低通滤波器中用作调谐电容，凭借其低损耗和高Q值特性，能够有效减少信号失真并提高选择性。在高精度传感器信号调理电路、医疗电子设备和测试测量仪器中，CL02ST5N6用于耦合、去耦和旁路功能时，能够提供稳定的电容行为，避免引入额外误差。
　　由于其宽温特性和长期稳定性，该电容同样适用于工业控制、汽车电子和航空航天等严苛环境下的应用场合。例如，在车载信息娱乐系统或雷达模块中，CL02ST5N6可在极端温度条件下保持性能一致，保障系统可靠运行。同时，其符合RoHS标准且支持自动化贴装，便于大规模生产，适用于各类SMT工艺流程，进一步提升了其在现代电子产品中的通用性和适用性。