尺寸：0402 (1.0 x 0.5 mm)
　　电容值：1.5nF (1500pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X7R (EIA)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（II类，X7R）
　　直流电阻（DCR）：低（典型值小于1Ω，实际取决于安装条件）
　　自谐振频率（SRF）：依据封装与电容值，通常在数百MHz量级
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF（取较小值）
　　使用寿命：在额定条件下可长期稳定运行

CL02ST1N5作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备出色的温度稳定性和频率响应能力。其采用X7R型电介质材料，能够在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化不超过±15%，这使其适用于各种环境条件下的电子系统。相较于C0G/NP0类电容器，虽然X7R材料的精度略低，但其更高的介电常数允许在相同体积下实现更大的电容容量，因此更适合需要较高电容密度的应用场景。该器件的0402小型封装设计极大地节省了PCB空间，满足现代电子产品向轻薄化、微型化发展的趋势。同时，其结构经过优化，具备良好的抗弯曲性能和热冲击耐受能力，在回流焊过程中不易产生裂纹，提高了生产良率和产品可靠性。
　　CL02ST1N5具有较低的等效串联电阻（ESR）和适中的等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声滤波方面表现良好。在电源管理电路中，它可以有效抑制电压波动和高频干扰，提升系统的电磁兼容性（EMC）。此外，该电容器采用无铅端子电极，并符合RoHS环保指令要求，支持绿色环保制造流程。其多层叠层结构通过精密印刷和高温共烧工艺制成，确保了批次间的一致性和长期稳定性。由于三星电机在MLCC领域的先进制造工艺，CL02ST1N5还具备较高的机械强度和湿度抵抗能力，适合自动化高速贴片作业，广泛用于智能手机、平板电脑、无线模块、传感器接口等高集成度设备中。

CL02ST1N5多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，尤其适用于对空间布局有严格要求的高密度电路板设计。在移动通信领域，它常被用作射频前端模块、基带处理器和电源管理单元中的去耦电容，用于滤除高频噪声并稳定供电电压。在消费类电子产品如智能手机、可穿戴设备和TWS耳机中，该器件因其小尺寸和高可靠性而成为理想的旁路和耦合元件。在计算机及周边设备中，可用于GPU、内存模块和接口电路的电源去耦，提升信号完整性和系统稳定性。
　　工业控制和汽车电子也是其重要应用领域。尽管该型号非AEC-Q200认证器件，但在非严苛车载环境中仍可用于信息娱乐系统、车身控制模块和传感器信号调理电路中。此外，在物联网（IoT）设备、智能家居控制器和无线传感节点中，CL02ST1N5可用于ADC参考电压滤波、时钟线路旁路以及DC-DC转换器输出端的滤波网络。其稳定的X7R特性保证了在不同工作温度下电路性能的一致性，从而提高整体系统的鲁棒性。在模拟电路中，该电容器还可用于音频信号耦合、低通滤波器构建以及运算放大器反馈回路中的相位补偿。由于其优异的高频响应特性，也常见于高速数字电路的局部电源去耦，防止开关噪声传播至敏感电路部分。