CL02KT82N 时间：2025/12/26 2:20:45 阅读：11

CL02KT82N是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于CL系列，采用小尺寸封装，适用于高密度贴装的现代电子设备。CL02K代表其尺寸代码与温度特性，T82N则表示其电容值为8.2pF，误差等级和电压等级等信息需结合具体规格书确认。这款电容器广泛应用于高频电路、射频模块、通信设备以及便携式电子产品中，因其具备良好的高频响应特性和稳定性而受到青睐。CL02KT82N工作于X7R或NP0/C0G类介质材料体系（需查证具体后缀定义），具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适合去耦、滤波、谐振及阻抗匹配等多种功能场景。此外，该产品符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，在自动化贴片生产线上表现出良好的可制造性。

参数

型号：CL02KT82N
　　电容值：8.2pF
　　容差：±0.1pF 或 ±0.25pF（依据具体版本）
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 R×C≥10000MΩ·μF
　　耐湿性：满足IEC 61193-3标准
　　老化率：≤0.1%每千小时
　　ESR：极低（典型值在毫欧级别）
　　ESL：典型值低于0.2nH

特性

CL02KT82N采用C0G（也称NP0）型陶瓷介质材料，具备极高的电容稳定性，其电容值随温度、电压和时间的变化极小，是一种理想的稳定型电容器。C0G材料的温度系数为0±30ppm/°C，确保在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值几乎不发生漂移，非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡回路、滤波器和定时电路中。该器件的容差可做到±0.1pF或±0.25pF，满足高精度匹配需求，尤其适用于射频前端模块中的阻抗调谐、天线匹配网络以及压控振荡器（VCO）等关键位置。由于其使用高纯度陶瓷介质和内电极共烧技术，CL02KT82N展现出优异的抗老化性能，电容值不会随时间推移而显著衰减，长期可靠性强。
　　在电气性能方面，CL02KT82N具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频应用中能够有效减少能量损耗并提升系统效率。其小型化0402封装（1.0×0.5mm）适应高密度PCB布局需求，同时保持良好的焊接可靠性和机械强度。该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高，适用于汽车电子环境，并具备出色的耐湿性和抗热冲击能力，可在回流焊过程中承受多次高温循环而不损坏。此外，CL02KT82N符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造流程，广泛用于智能手机、无线模块、Wi-Fi/BT/GNSS射频前端、光纤通信设备等领域。

应用

CL02KT82N主要用于需要高稳定性和高频性能的电子电路中。其典型应用场景包括射频识别（RFID）系统中的谐振电容、无线通信模块（如5G、Wi-Fi 6E、蓝牙5.0）的匹配网络元件、手机功放输出端的滤波与耦合、GPS/GLONASS接收链路的LC滤波器构建单元。由于其C0G介质带来的零温度漂移特性，常被用作压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）中的旁路电容或调谐电容，以确保频率输出的精确性与长期一致性。在高速数字系统中，该器件可用于时钟线路的噪声抑制和信号完整性优化，特别是在FPGA、ASIC周边的电源去耦设计中发挥重要作用。
　　此外，CL02KT82N也广泛应用于医疗电子设备、工业传感器、航空航天电子系统以及汽车雷达（77GHz毫米波）前端模块中，承担高频信号路径上的关键补偿与滤波任务。其微型封装使其成为可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等空间受限产品的首选元件之一。在自动测试设备（ATE）和精密测量仪器中，该电容器作为标准参考元件参与构建高Q值谐振电路，保证测试信号的准确性和重复性。得益于其优异的耐久性和环境适应性，CL02KT82N同样适用于户外通信基站、车载信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）中的高频信号调理电路。