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CL02KT4N7 发布时间 时间:2025/12/26 3:11:52 查看 阅读:12

CL02KT4N7是三星电机(Samsung Electro-Mechanics)生产的一款多层陶瓷贴片电容(MLCC),属于CL系列,尺寸为0603(英制),即公制1608,适用于高密度表面贴装技术。该电容器采用X7R或类似温度特性的陶瓷介质材料,具有稳定的电容值和良好的温度特性,适用于广泛的电子电路中进行滤波、去耦、旁路和信号耦合等应用。CL02K系列以其高可靠性和小型化设计广泛应用于消费类电子产品、通信设备、便携式设备及工业控制等领域。T4N7代表其电容值为4.7nF(即4700pF),额定电压通常为50V,适用于中低压直流工作环境。该器件具备良好的焊接可靠性和抗机械应力能力,符合RoHS环保要求,并支持回流焊工艺。由于其小尺寸与高性能的结合,CL02KT4N7在现代PCB布局中被广泛用于高频去耦和噪声抑制场景。

参数

型号:CL02KT4N7
  封装尺寸:0603(1608)
  电容值:4.7nF(4700pF)
  容差:±10%
  额定电压:50V DC
  介质材料:X7R(或等效)
  温度特性:-55°C 至 +125°C,ΔC/C ≤ ±15%
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  绝缘电阻:IR ≥ 1000MΩ 或 R×C ≥ 500S
  使用寿命:在额定电压和最高工作温度下可稳定运行至少1000小时
  产品类别:多层陶瓷电容器(MLCC)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  端接类型:镍阻挡层/锡外电极(Ni-Sn)
  符合标准:RoHS、REACH、无卤素

特性

CL02KT4N7作为三星电机推出的高性能多层陶瓷电容,具备出色的电气稳定性与机械可靠性。其采用先进的叠层制造工艺,在微小的0603封装内实现了4.7nF的电容值,满足现代电子设备对高集成度和小型化的需求。该器件使用X7R类介电材料,确保在宽温度范围(-55°C至+125°C)内电容变化率控制在±15%以内,适合用于对温度稳定性有一定要求的应用场合。同时,其50V的额定直流电压使其适用于大多数中低压电源轨的去耦设计,例如为数字IC、运算放大器或射频模块提供稳定的局部储能。
  该电容具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),能够在高频条件下有效滤除噪声,提升系统的电磁兼容性(EMC)。其端电极为三层电极结构(Inner Electrode - Nickel Barrier - Outer Electrode Tin),增强了焊接强度并防止焊料渗透导致的裂纹问题,提高了在热循环和机械振动环境下的长期可靠性。此外,CL02KT4N7支持自动化贴片生产流程,兼容标准回流焊温度曲线,适用于大规模SMT组装工艺。
  由于采用了高纯度陶瓷介质和精密印刷技术,该元件表现出优异的耐湿性和长期稳定性,即使在高温高湿环境下也能保持性能一致性。它还具备良好的直流偏压特性,即在接近额定电压工作时,电容值下降幅度较小,优于一般Y5V材质的产品。这些特性使得CL02KT4N7成为工业控制、汽车电子、移动通信设备以及高端消费类电子产品中的优选被动元件之一。

应用

CL02KT4N7广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子系统中。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,常用于电源管理单元(PMU)的输入输出滤波、处理器核心供电的去耦以及音频信号路径的耦合与滤波。在通信设备中,包括Wi-Fi模块、蓝牙模组和基站前端电路,该电容可用于射频偏置电路的旁路处理,以降低高频干扰并提高信号完整性。
  在工业控制系统中,CL02KT4N7被用作PLC控制器、传感器接口电路和数据采集模块中的噪声抑制元件,确保模拟信号链的精度和稳定性。在汽车电子领域,尽管非车规级版本不适用于动力总成或安全系统,但其仍可用于信息娱乐系统、车内照明驱动或车载充电器等对成本敏感且环境条件相对温和的子系统中。
  此外,该器件也常见于电源适配器、DC-DC转换器和LDO稳压器的外围电路中,发挥平滑电压波动、抑制开关噪声的作用。在高速数字电路中,多个CL02KT4N7可并联布置在IC附近,形成有效的高频去耦网络,减少地弹和电源反弹现象,从而提升系统运行的稳定性与抗干扰能力。其紧凑的尺寸特别适合空间受限的设计,有助于实现更轻薄化的终端产品。

替代型号

[
   "GRM155R71H473KA88D",
   "C1608X7R1H473K",
   "SRP05A473K",
   "CL02A473KO5NNNC"
  ]

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