CL02JT39N 时间：2025/12/26 3:09:17 阅读：9

CL02JT39N是一种由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于CL系列，尺寸为0603（公制1608），额定电容值为3.9nF，额定电压为50V，电容容差为±5%（代号J），温度特性符合X7R标准。该器件采用表面贴装技术（SMT），广泛应用于各类消费电子、通信设备和工业电子产品中。作为一款高性能的陶瓷电容器，CL02JT39N具有体积小、可靠性高、高频响应优异等特点，适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。其材料与制造工艺确保了在宽温度范围（-55°C至+125°C）内电性能稳定，适合在严苛环境条件下使用。此外，CL02JT39N符合RoHS环保要求，无铅且兼容现代回流焊工艺，是当前主流的被动元件之一。

参数

型号：CL02JT39N
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：0603 (1608 公制)
　　电容值：3.9nF (3900pF)
　　额定电压：50VDC
　　电容容差：±5% (J)
　　温度特性：X7R (±15% 变化范围, -55°C 至 +125°C)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　安装方式：表面贴装 (SMT)
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层 (Ni-Sn)
　　产品等级：工业级
　　符合标准：RoHS, REACH, AEC-Q200（部分批次）

特性

CL02JT39N所采用的X7R型陶瓷介质赋予其良好的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%，这使其在面对环境温度剧烈波动的应用场景下仍能维持电路性能的一致性。相比Y5V等其他介电材料，X7R在电容稳定性方面表现更优，虽然其介电常数低于高K材料如Y5V，但牺牲一定的容积效率换取了更高的可靠性和线性响应。该电容器的50V额定电压使其适用于中等电压电源轨的去耦设计，例如在数字IC的VDD引脚附近提供瞬态电流支持，有效抑制电源噪声和电压波动。其0603小型封装不仅节省PCB空间，还具备较低的寄生电感，有助于提升高频下的阻抗特性，因此在射频电路或高速数字系统中也具有良好的去耦效果。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，内部由多个陶瓷-金属电极交替堆叠而成，形成多层平行板结构，从而在微小体积内实现所需的电容值。这种结构不仅提升了单位体积的电容密度，也增强了机械强度和热循环耐受能力。CL02JT39N的端电极采用镍阻挡层和锡外镀层设计，具备良好的可焊性和抗迁移性能，能够有效防止银离子迁移导致的短路问题，提高长期使用的可靠性。此外，其符合RoHS和REACH环保指令，不含铅、镉等有害物质，适用于出口型电子产品及对环保要求较高的项目。在生产过程中，该器件经过严格的筛选和测试，包括耐压测试、容量分选、温度循环试验等，确保每一批次的产品都具备一致的质量水平。由于其稳定的电气性能和紧凑的外形，CL02JT39N被广泛用于智能手机、平板电脑、路由器、电源模块和传感器模组等高密度电子设备中。

应用

CL02JT39N广泛应用于需要稳定电容性能和小型化设计的电子电路中。典型应用场景包括电源去耦，特别是在微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的供电引脚附近，用于滤除高频噪声并提供瞬时电流支持，保障核心器件稳定运行。此外，它也常用于模拟信号链中的滤波电路，如低通、高通或带通滤波器，利用其稳定的X7R特性确保频率响应一致性。在射频前端模块中，该电容器可用于阻抗匹配网络或直流阻断（AC耦合）电路，因其低寄生电感和良好高频特性而表现优异。消费类电子产品如智能手机、智能手表、无线耳机等对空间要求极为严格，CL02JT39N的0603封装成为理想选择。工业控制设备、汽车电子（非动力系统）以及通信基础设施设备（如基站模块、光模块）中也常见其身影，尤其适用于工作环境温度变化较大的场合。另外，在DC-DC转换器的输入输出滤波环节，该器件可协助平滑电压纹波，提升电源效率与稳定性。由于其符合AEC-Q200标准的部分批次可用于车规级应用，进一步拓展了其在车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等领域的适用性。