时间：2025/12/26 1:03:11
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CL02JT10N是一种由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于小尺寸、高可靠性的表面贴装电容器，广泛应用于各类消费类电子产品、通信设备以及工业控制电路中。CL02J系列是基于X7R介电材料的陶瓷电容器，具备良好的温度稳定性与电容值保持能力，在-55°C至+125°C的宽温度范围内能够维持±15%的电容偏差。CL02JT10N的具体电容值为10pF，额定电压为50V，适用于高频去耦、信号耦合、滤波及定时电路等场景。其封装尺寸为0603（英制），即公制约1.6mm × 0.8mm，适合高密度PCB布局设计。由于采用无铅工艺制造，符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的生产要求。该型号在自动化贴片生产线上具有优异的可焊性和机械强度，能够在回流焊接过程中保持稳定性能。此外，CL02JT10N还具备低等效串联电阻（ESR）和低损耗因子（D值），有助于提升电源完整性并减少高频噪声干扰。作为主流规格的MLCC之一，它被广泛用于智能手机、平板电脑、无线模块、电源管理单元及其他需要小型化与高性能兼顾的应用场合。
电容值：10pF
额定电压：50V
介电材料：X7R
温度特性：-55°C ~ +125°C, ±15%
封装尺寸：0603 (1608公制)
精度等级：±0.1pF
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥4GΩ·μF
介质耐压：≥1.5倍额定电压
等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（高频下）
损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
结构层数：多层陶瓷结构
端子类型：镍阻挡层/锡外涂层
符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分应用）
CL02JT10N所采用的X7R型陶瓷介质赋予其出色的温度稳定性，能够在极端环境条件下维持电容性能的一致性，这对于精密模拟电路和高频数字系统尤为重要。
其10pF的小容量设计特别适用于射频匹配网络、振荡器电路中的负载电容配置以及高速信号路径上的微调补偿，有效避免因寄生电感过大而导致的响应失真。
得益于先进的叠层制造工艺，该电容器实现了极低的等效串联电感（ESL），使其在GHz级别的高频应用中仍能表现出接近理想电容的行为特征，从而显著增强去耦效果和电磁兼容性（EMC）表现。
此外，CL02JT10N具备优异的抗湿性与长期可靠性，经过高温高湿偏置测试（H3TRB）验证，可在恶劣环境中长时间运行而不发生性能劣化或早期失效。
该器件的端电极采用三层电极结构（Inner Electrode / Ni Barrier / Sn Coating），不仅提高了焊接牢固度，还有效防止了银离子迁移问题，增强了在潮湿环境下工作的耐久性。
在SMT贴装过程中，CL02JT10N展现出良好的共面性与热冲击耐受能力，能够适应无铅回流焊的高温曲线（峰值约260°C），而不会出现裂纹或分层现象。
其严格的容差控制（±0.1pF）使得该型号可用于对电容精度要求较高的应用场景，如PLL环路滤波器、ADC参考电压缓冲电路等，确保系统参数的高度一致性与可重复性。
整体而言，CL02JT10N是一款集小型化、高稳定性与高可靠性于一体的高性能MLCC，满足现代电子设备向轻薄化、高频化发展的技术需求。
CL02JT10N常用于便携式消费类电子产品中的射频前端模块，作为匹配网络的一部分以优化天线或功率放大器的阻抗特性；
在时钟生成电路中，配合晶体谐振器使用，提供精确的负载电容以保证频率稳定性；
也广泛应用于高速数字处理器的电源引脚附近，执行局部去耦功能，吸收瞬态电流波动并抑制电源噪声传播；
在模拟信号链路中，可用于交流耦合、直流阻断及带通滤波器构建，尤其适合处理高频小信号；
此外，在汽车电子中的信息娱乐系统、ADAS传感器模块中也有部署，因其符合车规级可靠性要求而在非动力总成类应用中表现良好；
还可用于工业级FPGA、ASIC周边电路中进行高频旁路和信号完整性优化；
由于其稳定的电气特性，也被选用于医疗监测设备、测试测量仪器等对长期稳定性有较高要求的领域。
GRM188R71H10NJ
