电容值：2200pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0201（0603公制）
　　电介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　老化率：≤2.5% / decade hour
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 时间常数 ≥2500S·μF
　　等效串联电阻（ESR）：低（典型值在MHz频段下为几毫欧至几十毫欧，具体取决于应用条件）
　　自谐振频率（SRF）：数百MHz量级（受封装尺寸和电感影响）

CL02A222KQ2NNNC 作为三星CL02A系列中的代表性MLCC产品，具备出色的电气性能与机械可靠性。其核心介质材料为X7R型陶瓷，属于第二类铁电介质，能够在宽温范围内保持相对稳定的电容值，具体表现为在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容变化不超过±15%。这种温度稳定性使其优于Z5U或Y5V类电容，适用于对温度漂移有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，在微小的0201英寸（0.6mm x 0.3mm）封装内实现了2200pF的电容容量，极大提升了单位面积的电容密度。同时，其低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR）特性使其在高频去耦应用中表现出色，尤其适用于高速数字电路中的电源噪声抑制。例如，在处理器或ASIC芯片的供电引脚附近部署此类电容，可以有效滤除高频干扰，提升系统稳定性。
　　端子结构方面，CL02A222KQ2NNNC 使用双层端接设计，底层为铜或银钯导电层，中间为镍阻挡层，最外层为可焊性良好的纯锡涂层。这一结构不仅增强了抗热应力和机械应力的能力，还防止了“银迁移”现象的发生，从而提高了长期使用的可靠性。此外，该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等严苛环境。
　　在生产工艺上，三星采用自动化精密印刷与烧结技术，确保每层介质厚度均匀、内部电极对齐精确，从而降低缺陷率并提高批次一致性。产品符合RoHS和REACH环保标准，不含卤素，支持无铅回流焊接（峰值温度约260°C），适应现代SMT生产线的要求。总体而言，CL02A222KQ2NNNC 在小型化、高性能与成本之间取得了良好平衡，是现代电子设计中常用的通用型陶瓷电容之一。

CL02A222KQ2NNNC 广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高密度布局和良好高频响应的场合。在移动通信设备如智能手机、平板电脑和无线模块中，它常被用作射频前端电路、基带处理器和电源管理单元的旁路与去耦电容，用于滤除开关噪声和稳定供电电压。其小尺寸特性使得在有限的PCB空间内实现多点去耦成为可能，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在消费类电子产品中，包括智能手表、耳机、摄像头模组和便携式医疗设备，该电容用于信号耦合、LC滤波网络和定时电路。由于X7R介质具有一定的非线性特性，不适合高精度振荡或采样保持电路，但在一般模拟信号路径中仍能提供可靠的性能。
　　工业控制与自动化设备中，CL02A222KQ2NNNC 可用于传感器接口电路、ADC/DAC前端滤波、DC-DC转换器输出端的平滑滤波等。其宽工作温度范围确保在恶劣环境下仍能正常运行。此外，在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，该型号也可能被采用，尤其是在非安全关键路径中作为通用滤波元件。
　　在计算机与服务器主板上，尽管更高容值或更低ESR的需求可能促使工程师选用更大尺寸的MLCC，但在某些低功耗I/O区域或内存模块周边，CL02A222KQ2NNNC 仍可发挥其高频去耦优势。总之，只要应用场景对电容稳定性、体积和成本有综合考量，该器件就是一个极具竞争力的选择。

GRM155R71H222KA01D
　　CC0201-50V-X7R-222K
　　CL10A222KQ5NNNC
　　RC0201JR-072N2K