时间：2025/6/26 19:14:04
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CKP2520N4R7M-T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关和高功率密度应用设计。其卓越的性能来源于先进的材料工艺与优化的电路设计，适用于工业、通信和消费电子领域中的多种应用场景。该型号具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优势。
该器件采用表面贴装封装，适合自动化生产，同时具备良好的热管理特性以支持高功率运行。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.7mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
CKP2520N4R7M-T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（4.7mΩ），能够显著降低传导损耗，提高效率。
2. 高速开关性能，反向恢复时间仅为10ns，非常适合高频应用。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，确保在异常条件下也能稳定运行。
4. 耐高温能力出色，能够在最高175℃的工作环境下保持可靠性能。
5. 小型化的表面贴装封装设计，简化了PCB布局并提升了装配效率。
6. 高击穿电压（600V）保证了器件在高压环境下的安全性与稳定性。
CKP2520N4R7M-T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及不间断电源（UPS）中作为主功率开关。
2. 电动汽车（EV）充电设备的核心功率转换模块。
3. 工业电机驱动器，提供高效的功率控制。
4. 太阳能逆变器，用于能量转换与传输优化。
5. LED照明驱动电源，实现高效率和精确亮度调节。
6. 数据中心服务器电源系统，满足高性能计算需求。
CKP2520N5R0M-T, CKP2020N4R7M-T
