型号：CKP2012N4R7M-T
　　封装尺寸：2012（公制）/0805（英制）
　　电感值：4.7μH
　　电感公差：±20%
　　额定电流（Isat）：约300mA（典型值，因数据手册略有差异）
　　温升电流（Irms）：约350mA（导致温升40°C时的电流）
　　直流电阻（DCR）：约0.32Ω（最大值）
　　自谐振频率（SRF）：≥30MHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　焊接方式：回流焊（推荐峰值温度≤260°C）
　　磁芯类型：铁氧体材质
　　结构类型：多层片式电感（无磁屏蔽）

CKP2012N4R7M-T采用多层陶瓷与金属内电极交替堆叠的技术，形成三维螺旋导电路径，从而在微小体积下实现稳定的电感值和较高的Q值。这种结构显著提升了单位体积的能量存储能力，同时减少了电磁泄漏，增强了元件间的兼容性。其使用的高温共烧陶瓷（HTCC）工艺确保了器件在热循环和机械冲击下的结构完整性，避免因温度变化引起的开裂或性能漂移。该电感具备较低的直流电阻，有助于减少功率损耗，提高电源转换效率，尤其适用于电池供电设备中的降压或升压型DC-DC变换器。其磁芯材料经过优化设计，在大电流条件下仍能维持较高的电感保持率，防止因磁饱和导致的电流突变和系统不稳定。此外，该器件对高频噪声具有良好的抑制能力，可用于输入/输出滤波电路中，提升系统的EMI性能。表面绝缘层具备优良的耐湿性和耐化学腐蚀性，可在高湿度环境下长期运行而不影响电气特性。产品支持高速自动贴片机装配，端电极采用铜镍锡三层电镀结构，确保良好的可焊性和长期连接可靠性。整体设计兼顾了小型化、高效能与成本效益，满足消费电子向轻薄化发展的趋势。
　　值得一提的是，CKP2012N4R7M-T在生产过程中实施严格的质量控制流程，每批产品均进行全参数抽检，确保电感值、直流电阻和绝缘电阻等关键指标符合规格要求。其非屏蔽结构虽然在磁屏蔽性能上略逊于一体成型或带磁罩电感，但在大多数常规应用中已足够使用，且有助于降低整体高度，适应超薄设备的设计需求。对于空间受限但又需要一定功率处理能力的场合，该电感是一个理想选择。此外，其频率响应特性平滑，相位一致性好，适合用于信号链中的匹配网络或LC振荡电路。综合来看，CKP2012N4R7M-T是一款性能均衡、性价比高的片式功率电感，适用于多种中低功率应用场景。

该电感广泛应用于各类便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和TWS耳机等，主要用于电源管理单元中的DC-DC转换电路，例如Buck、Boost或Buck-Boost拓扑结构中作为储能电感使用。在这些系统中，它能够有效平滑输出电流，降低纹波电压，提升电源效率。此外，CKP2012N4R7M-T也常用于LED驱动电路中，配合恒流控制器实现稳定的亮度调节。在射频模块和无线通信单元中，该电感可用于偏置电路或匹配网络，帮助实现阻抗匹配和信号滤波。工业控制领域的传感器模块、MCU供电电路以及低功耗物联网节点中，该器件同样发挥着重要作用，提供稳定可靠的电感支持。由于其具备良好的温度特性和抗干扰能力，也可应用于汽车电子中的非动力域系统，如车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块或ADAS辅助系统的电源部分。在消费类电源适配器、充电器和小型SMPS开关电源中，该电感可用于次级滤波或反馈环路补偿，改善动态响应和负载调整率。此外，还可用于FPGA、ASIC或SoC芯片周围的去耦和稳压电路，保障核心芯片的供电质量。总之，凡是在有限空间内需要可靠电感性能的场合，CKP2012N4R7M-T都是一种实用且经济的选择。

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　　 "CLK2012N4R7M-T",
　　 "XFL2012DR47M",
　　 "VLS2012ET-4R7M",
　　 "SLF2012T-4R7N",
　　 "CDRH9DNP-4R7NC"
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