时间：2025/7/1 1:46:34
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CKG57NX7S2A226MT0Y9W 是一款高性能的存储芯片，属于三星（Samsung）推出的 DDR5 内存颗粒系列。该芯片主要应用于服务器、台式机和笔记本电脑等需要高带宽和低功耗的设备中。DDR5 技术相较于前代 DDR4，提供了更高的数据传输速率和更大的容量密度，同时显著降低了功耗。
类型：DRAM
接口：DDR5
容量：16 Gb
电压：1.1V
数据速率：4800 MT/s
封装形式：BGA
工作温度：-40°C ~ +125°C
引脚数：82-ball
CKG57NX7S2A226MT0Y9W 提供了卓越的性能表现和稳定性，其关键特性如下：
1. 支持 DDR5 标准，数据传输速率高达 4800 MT/s，可满足高性能计算需求。
2. 内置 ECC（纠错码）功能，能够有效提升数据完整性和系统可靠性。
3. 具备 On-Die ECC 功能，进一步增强芯片自身的数据保护能力。
4. 使用先进的 1αnm 制程工艺制造，显著降低功耗并提高集成度。
5. 支持多 Rank 架构设计，能够在单个内存条上实现更大容量。
6. 高效的热管理设计，确保长时间运行时的稳定性和可靠性。
CKG57NX7S2A226MT0Y9W 广泛应用于需要高性能和大容量存储的场景，包括但不限于以下领域：
1. 企业级服务器和数据中心，用于支持虚拟化、云计算和大数据处理任务。
2. 高端台式机和工作站，提供更快的数据访问速度以支持复杂的图形处理和科学计算。
3. 游戏笔记本电脑和高性能移动设备，优化游戏体验和多媒体应用性能。
4. 工业控制设备和嵌入式系统，为实时数据采集和分析提供可靠的支持。
K4A8G165WB-M3C, MT53E1G64D2PZ-046, H5TC4G63AFR-PBA
