时间：2025/7/1 1:43:36
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CKC21X912JDGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的场景。其设计优化了功率损耗和散热能力，从而提高了整体系统的效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：70nC（典型值）
开关时间：开启时间10ns，关断时间25ns（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
CKC21X912JDGAC7800具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 强大的散热性能，能够承受较高的结温，适用于严苛的工作条件。
4. 高可靠性设计，支持长时间稳定运行。
5. 紧凑的封装形式，便于在有限空间内进行布局。
6. 符合RoHS标准，环保且兼容现代电子产品的绿色要求。
这款功率MOSFET适用于多种领域，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流无刷电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
4. 工业自动化设备中的功率转换与驱动。
5. 充电器及适配器设计。
6. LED驱动器中的功率管理模块。
其优异的性能使其成为众多大功率、高效率应用的理想选择。
CKC21X912JDGAC7500
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L
