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CKC21X912JDGAC7800 发布时间 时间:2025/7/1 1:43:36 查看 阅读:8

CKC21X912JDGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的场景。其设计优化了功率损耗和散热能力,从而提高了整体系统的效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:70nC(典型值)
  开关时间:开启时间10ns,关断时间25ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

CKC21X912JDGAC7800具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 强大的散热性能,能够承受较高的结温,适用于严苛的工作条件。
  4. 高可靠性设计,支持长时间稳定运行。
  5. 紧凑的封装形式,便于在有限空间内进行布局。
  6. 符合RoHS标准,环保且兼容现代电子产品的绿色要求。

应用

这款功率MOSFET适用于多种领域,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流无刷电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
  4. 工业自动化设备中的功率转换与驱动。
  5. 充电器及适配器设计。
  6. LED驱动器中的功率管理模块。
  其优异的性能使其成为众多大功率、高效率应用的理想选择。

替代型号

CKC21X912JDGAC7500
  IRFZ44N
  FDP5500
  STP36NF06L

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CKC21X912JDGAC7800参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格500 : ¥22.95438卷带(TR)
  • 系列KC-LINK
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容9100 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,软端接,高电压,高温
  • 等级-
  • 应用Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳2220(5750 公制)
  • 大小 / 尺寸0.232" 长 x 0.197" 宽(5.90mm x 5.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.087"(2.20mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-