时间：2025/5/28 20:11:31
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CKC21X273MWGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号属于增强型N沟道MOSFET系列，具有出色的热稳定性和可靠性，适合工业级和消费级电子设备中的多种应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：12A
导通电阻Rds(on)：0.2Ω
总栅极电荷Qg：45nC
输入电容Ciss：1500pF
输出电容Coss：45pF
反向传输电容Crss：18pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CKC21X273MWGAC7800拥有非常低的导通电阻，能够在高负载条件下保持较低的功耗和发热。其快速开关能力有助于减少开关损耗，从而提升整体效率。
此外，该器件具有较高的耐压能力（650V），可以安全地用于各种高压环境。同时，其坚固的封装设计增强了散热性能，并且提高了抗潮湿和抗腐蚀的能力。
该芯片还支持宽泛的工作温度范围，适用于恶劣环境下的长期运行。综合来看、可靠性和耐用性方面表现出色。
CKC21X273MWGAC7800广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 高频开关电源
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 工业自动化设备
- 不间断电源（UPS）
- 电动汽车辅助系统
凭借其高耐压和高效能的特点，此芯片成为众多高压及大电流应用的理想选择。
CKC21X273MWGAC7900
IRFZ44N
FQP16N65C
STP12NK65M5
