CKC21X273FC级功率MOSFET芯片,主要应用于汽车电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的开关特性和低导通电阻特性,能够有效提升系统的效率和可靠性。
该型号属于车规级产品,满足AEC-Q101标准要求,适用于高温、高湿度等恶劣环境下的应用。其设计优化了散热性能,并提供了更高的电流承载能力。
类型:功率MOSFET
封装:FC-GA(扁平无引脚封装)
VDS(漏源极击穿电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):2.7mΩ
Qg(栅极电荷):45nC
最大工作温度范围:-40℃至175℃
ID(连续漏极电流):273A
fT(特征频率):2.1MHz
CKC21X273FCGACAUTO具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够在大电流条件下显著降低功耗。
2. 高效的热管理设计,适合长时间运行在高温环境下。
3. 支持高频开关应用,适用于DC-DC转换器、电机驱动等场景。
4. 符合AEC-Q101车规级认证标准,确保在汽车应用中的高可靠性和稳定性。
5. 小型化的FC-GA封装形式,节省PCB空间并提高布局灵活性。
6. 内置ESD保护功能,增强抗静电能力。
该芯片广泛应用于汽车电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 车载DC-DC转换器
2. 电动助力转向系统(EPS)
3. 汽车空调压缩机驱动
4. 混合动力及电动车电池管理系统(BMS)
5. 发动机控制单元(ECU)中的电源模块
6. 车载充电器(OBC)及逆变器
由于其卓越的电气性能和高可靠性,非常适合需要高效能和稳定性的汽车应用场景。
CKC21X250FCGACAUTO
IRF7833TRPBF
STP270N10F7