时间：2025/6/16 18:05:41
阅读：4
CKC21X123KWGAC7800 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高效率电力转换应用。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具有极低的导通电阻和优化的开关性能。
其封装形式为TO-247，适用于高电流、高电压场景，同时具备出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下长时间运行。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CKC21X123KWGAC7800 具备卓越的电气特性和机械性能，以下为主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用场合。
3. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
4. 耐雪崩能力出色，能够承受短时过载或异常状态下的能量冲击。
5. 热阻低，散热性能优越，适合大功率密度的设计。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺制造。
该芯片广泛应用于工业及消费电子领域中的各种电力转换设备，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电动工具和家用电器的电机驱动
3. 太阳能逆变器与储能系统
4. 电动车充电模块
5. 不间断电源（UPS）
6. LED驱动电路
IRFP260N, STP120NF75, FDP15U65A
