时间：2025/7/1 1:38:51
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CKC21C683FWGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，支持较高的工作电压和电流，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
型号：CKC21C683FWGAC7800
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω
总栅极电荷(Qg)：45nC
开关频率：最高可达500kHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
CKC21C683FWGAC7800的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性。
1. 低导通电阻：Rds(on)仅为0.4Ω，在大电流应用中可显著减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压：650V的漏源电压使其适用于高压环境，确保在严苛条件下的稳定运行。
3. 快速开关能力：具备低栅极电荷和快速开关速度，适合高频应用，例如开关电源和逆变器。
4. 宽温工作范围：能够在-55℃至+150℃的极端温度条件下正常工作，适应恶劣环境。
5. 稳定性高：通过了严格的测试流程，保证长期使用中的可靠性和一致性。
CKC21C683FWGAC7800广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：包括AC-DC转换器和DC-DC变换器，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动：用于控制步进电机、无刷直流电机等，实现精确的速度和扭矩调节。
3. 工业自动化：如伺服驱动器、PLC控制器等设备中的功率控制模块。
4. 新能源领域：应用于太阳能逆变器、风能发电系统等需要高效功率处理的场景。
5. 汽车电子：适合作为车载充电器、电动助力转向系统的功率元件。
IRFP260N, STP16NM65K5, FQA16N65S7
