时间：2025/7/3 10:31:11
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CKC21C512GJGAC7800 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片，主要用于大容量数据存储解决方案。该型号属于三星电子推出的 3D TLC NAND 系列，采用先进的 V-NAND 技术制造，具备高密度、低功耗和卓越性能的特点。
这款芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备、数据中心以及消费类电子产品中，满足对高速读写和可靠性的需求。
容量：512GB
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
通道数：8
擦写寿命：3000 次 (TLC)
封装形式：BGA
外形尺寸：11.5mm x 13mm x 1.2mm
数据传输速率：最高 400MT/s
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CKC21C512GJGAC7800 使用了三星第三代 V-NAND 技术，通过垂直堆叠单元显著提高了存储密度，并减少了单元间的干扰问题。
其 Toggle DDR 2.0 接口提供了更快的数据传输速度，同时降低了功耗。
此外，该芯片内置 ECC（错误校正码）引擎以增强数据完整性，并支持多种省电模式，优化系统效率。
它还具有良好的耐用性和可靠性，在极端环境下也能稳定运行。
CKC21C512GJGAC7800 主要适用于需要大容量和高性能存储的场景，例如：
- 客户端及企业级 SSD
- 工业计算机与嵌入式系统
- 智能手机和平板电脑等移动设备
- 数字电视和机顶盒
- 监控录像设备及其他大数据处理终端
K9BHGY8U1M-CCK0, KLM51GEY0E-CCK0
