CKC21C512GDGAC7210 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片,主要用于数据存储应用。该芯片采用MLC(多层单元)技术,具备高容量和高性能特点,适用于各种消费类电子设备,如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、嵌入式存储解决方案等。其设计符合行业标准规范,并提供可靠的性能表现。
容量:512GB
接口:Toggle DDR 2.0
封装形式:BGA
工作电压:1.8V
页面大小:16KB
区块大小:2MB
擦写寿命:3000次
数据保留时间:10年
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
CKC21C512GDGAC7210 具备多种先进的技术特性以确保其高效能和稳定性。
1. 使用MLC NAND 技术,在保证容量的同时降低了成本。
2. 支持Toggle DDR 2.0 接口协议,传输速度可达400MT/s。
3. 内置ECC(错误校验与纠正)功能,能够提高数据的可靠性。
4. 优化了功耗管理,适合移动设备使用。
5. 提供较高的擦写次数,延长了产品的使用寿命。
6. 工作温度范围广,适应各种环境条件下的操作需求。
这款NAND闪存芯片主要应用于需要大容量存储的场合,例如:
1. 固态硬盘(SSD),作为计算机的主要存储设备。
2. USB闪存盘,用于便携式数据存储和传输。
3. 嵌入式系统中的存储模块,如智能手机、平板电脑和其他智能终端。
4. 数字摄像机和数码相机的存储卡。
5. 网络存储设备及服务器备份存储方案。
由于其高性能和可靠性,CKC21C512GDGAC7210 成为众多制造商在设计大容量存储产品时的理想选择。
KLC21C512GADGAC7210
KLBD31GQEGMBA0E
THNSNJ512GCSA
K9HCG4R8EMC-CF4