CKC18X512KWGAC7800 是一款高密度、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),主要用于需要高速数据访问和临时数据存储的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有出色的性能和可靠性,适用于工业控制、通信设备以及嵌入式系统等领域。
这款 SRAM 芯片具有 512K x 18 的存储容量配置,支持快速读写操作,并且具备较低的功耗特性,能够满足高性能系统对数据存储的需求。
存储容量:512K x 18位
工作电压:1.7V 至 1.9V
访问时间:7ns
数据保留时间:无限
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:FBGA
引脚数:132
接口类型:同步
功耗:典型值为 2W
CKC18X512KWGAC7800 具有以下显著特性:
1. 高速运行:其 7ns 的访问时间确保了极快的数据读写速度,非常适合对实时性要求较高的应用。
2. 低功耗设计:通过优化内部电路结构,在保证性能的同时有效降低了功耗,延长了系统的续航能力。
3. 宽工作电压范围:支持 1.7V 至 1.9V 的工作电压,为设计者提供了更大的灵活性。
4. 稳定性与可靠性:即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能输出。
5. 大容量存储:512K x 18 的配置提供了足够的存储空间以满足复杂任务需求。
6. 同步接口:支持同步操作模式,便于与其他数字逻辑器件集成使用。
CKC18X512KWGAC7800 广泛应用于各种需要高性能 SRAM 的领域,包括但不限于:
1. 工业自动化控制系统:如可编程逻辑控制器(PLC)中用于暂存过程变量数据。
2. 数据通信设备:例如路由器、交换机中的包缓冲区或查找表存储。
3. 嵌入式计算平台:作为微处理器的外部缓存或者本地存储单元。
4. 测试测量仪器:提供高速数据采集和处理所需的临时存储功能。
5. 图形处理系统:用作帧缓冲或其他图形相关算法的数据存储区域。
CY6218V517BLL, IS61LD51236A