时间：2025/7/9 22:44:06
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CKC18X273KWGAC7800 是一款高性能的功率MOSFET芯片，通常应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。这款器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著提升了系统的效率和性能。
该型号属于增强型N沟道MOSFET系列，能够在高频条件下实现高效运行，同时保持较低的热损耗。其封装形式和电气特性使其非常适合于需要高电流处理能力和良好散热性能的应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：120nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
CKC18X273KWGAC7800 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频操作环境，适用于现代高效能电源设计。
3. 高电流承载能力，支持高达45A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然可以稳定运行，延长器件使用寿命。
5. 宽泛的工作温度范围，使得该器件可以在极端气候条件下使用。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，例如笔记本适配器、工业电源等。
2. DC-DC转换器，用于电动汽车、服务器和其他高功率电子设备。
3. 电机驱动电路，如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
4. 充电器模块，特别是在快速充电技术中扮演重要角色。
5. 各类功率调节系统，提供高效的电力传输与管理方案。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800
