时间：2025/6/29 5:01:30
阅读：4
CKC18X123KWGAC7800 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升电路效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，适用于工业和消费类电子设备中的大电流场景。
型号：CKC18X123KWGAC7800
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：12A
栅极电荷(Qg)：45nC
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-220
CKC18X123KWGAC7800 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下提供高效的导通性能，从而减少能量损耗。
2. 高开关速度设计，适合高频开关应用，并且有助于减小磁性元件的体积和成本。
3. 出色的热稳定性，确保在极端温度环境下依然可以稳定运行。
4. 内置 ESD 保护电路，增强了器件在恶劣环境中的抗干扰能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
6. 大电流承载能力，适合多种工业及汽车级应用。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中用于控制电机的启停与调速。
3. 逆变器系统中实现直流到交流的转换。
4. UPS 不间断电源设备中的功率转换模块。
5. LED 照明驱动电源中的关键功率器件。
6. 工业自动化设备中的负载切换与保护电路。
IRFZ44N
STP12NK65Z
FDP12N65C
IXFN120N65T2
