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CKC18C752GWGAC7800 发布时间 时间:2025/6/17 13:58:32 查看 阅读:5

CKC18C752GWGAC7800 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点。它广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和消费电子领域,能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
  其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,具备良好的散热性能,适用于高功率密度的设计。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  总电容:1800pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-220/DPAK

特性

CKC18C752GWGAC7800 具有以下显著特性:
  1. 高效节能:得益于极低的导通电阻 (3.5mΩ),能够有效降低传导损耗。
  2. 快速开关能力:该芯片支持高频开关操作,栅极电荷仅为 48nC,可实现快速开关,减少开关损耗。
  3. 热稳定性强:宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 使其适合各种极端环境下的应用。
  4. 高可靠性:采用高质量材料制造,确保长时间稳定运行,并通过严格的测试验证。
  5. 小型化设计:尽管是高功率器件,但其紧凑封装有助于简化 PCB 布局,同时具备优秀的散热性能。

应用

CKC18C752GWGAC7800 芯片适用于多种工业及消费级电子产品中:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电动工具中的电机驱动
  3. 太阳能逆变器和其他新能源转换设备
  4. 汽车电子系统中的负载切换
  5. 工业自动化控制设备中的功率调节
  6. 各类家用电器中的高效功率管理模块

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06
  FDP5500
  AO3400

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CKC18C752GWGAC7800参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥11.33696卷带(TR)
  • 系列KC-LINK
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容7500 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定650V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,高电压,高温
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-