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CKC18C512FDGAC7210 发布时间 时间:2025/6/12 3:13:29 查看 阅读:10

CKC18C512FDGAC7210 是一款基于 CMOS 工艺的 128K x 8 位静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片以其低功耗和高速数据访问能力而闻名,广泛应用于需要高可靠性和快速数据处理的场景。
  该 SRAM 芯片采用标准的同步接口,支持时钟频率高达 75MHz,确保了在高频环境下的稳定运行。此外,它还具有自动电源管理功能,在空闲模式下可以显著降低功耗。

参数

容量:128K x 8 位
  访问时间:7ns
  工作电压:2.5V 至 3.6V
  时钟频率:最高 75MHz
  封装形式:TQFP-100
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 引脚电平:兼容 TTL/CMOS
  数据保持时间:无限
  功耗:典型值 100mW

特性

CKC18C512FDGAC7210 的主要特性包括其极快的访问速度、宽泛的工作电压范围以及强大的抗干扰能力。
  该芯片采用了先进的 CMOS 工艺,使得其能够在低功耗的情况下提供高性能的数据读写操作。同时,内置的电源管理单元可以根据实际使用情况动态调整功耗,从而延长设备的使用寿命。
  此外,该芯片具备出色的电气性能和可靠性,适用于工业控制、通信设备及消费类电子产品等多种应用领域。

应用

CKC18C512FDGAC7210 可用于多种需要大容量、快速数据缓存的场景,例如网络交换机、路由器、打印机缓冲区以及工业自动化控制系统。
  在通信设备中,该芯片能够为数据包的临时存储提供高效的解决方案;而在消费电子领域,它可以作为图像处理或音频解码过程中的高速缓存,提升整体系统性能。

替代型号

CY6218C512CV35
  IS61C256A-12TLI
  AS4C16M16SA-7TIN

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CKC18C512FDGAC7210参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥21.32134卷带(TR)
  • 系列KC-LINK
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5100 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,高电压,高温
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"(1.40mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-