时间：2025/12/27 9:36:08
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CK21254R7M-T是一款由Chip King（晶丰明源）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高容量、小型化贴片电容系列，广泛应用于各类消费类电子、工业控制设备以及电源管理电路中。CK21254R7M-T采用X7R电介质材料，具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%。其标称电容值为4.7μF，额定电压为25V DC，适用于去耦、滤波、旁路和储能等典型应用场景。该电容器封装尺寸为1210（3225公制），符合行业标准贴装工艺，适合自动化SMT生产线使用。产品无铅且符合RoHS环保要求，具有优异的机械强度与耐热性能，在回流焊过程中表现出良好的可靠性。CK21254R7M-T在设计上优化了内部电极结构，有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升其在高频工作环境下的性能表现。作为一款高性能多层陶瓷电容，它常被用于DC-DC转换器输出滤波、电源去耦网络及模拟信号路径中的耦合与滤波环节。
型号：CK21254R7M-T
电容值：4.7μF
容差：±20%
额定电压：25V DC
电介质材料：X7R
温度特性：-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%
封装尺寸：1210 (3225mm)
长度：3.2mm ±0.2mm
宽度：2.5mm ±0.2mm
厚度：≤1.6mm
端电极材料：Ni/Sn（镍/锡）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
存储温度范围：-55°C ~ +125°C
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 CR ≥ 10000μF·MΩ
耐电压：1.5倍额定电压，1分钟无击穿或闪络
等效串联电阻（ESR）：典型值低于50mΩ（频率相关）
等效串联电感（ESL）：典型值约0.5nH~1.0nH
谐振频率：约10MHz（取决于PCB布局）
CK21254R7M-T采用先进的叠层陶瓷制造工艺，内部由多个交错的镍内电极与钡钛酸盐基陶瓷介质交替堆叠而成，形成高效的储能结构。X7R介质材料赋予其优异的温度稳定性，确保在极端温度条件下仍能维持电容性能的一致性，适用于需要长期稳定运行的电源系统。该电容器具有较高的体积比电容量，即在1210封装尺寸下实现4.7μF的大容量输出，有助于减少电路板空间占用并提高集成度。其低等效串联电阻（ESR）特性使其在高频开关电源中表现出色，能够有效抑制电压纹波和瞬态噪声，提升系统的整体效率和稳定性。此外，低等效串联电感（ESL）设计增强了其高频响应能力，使其在GHz频段以下仍具备良好的去耦效果，特别适合作为IC电源引脚的本地旁路电容。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（THB）、温度循环测试（TCT）、可焊性测试及耐焊接热测试，确保在复杂环境下的长期可靠运行。端电极为全镍阻挡层加锡覆盖结构，不仅增强了抗迁移能力，还保证了良好的润湿性和焊接牢固性，适应无铅回流焊工艺。由于其非极性特性，安装时无需考虑方向，简化了装配流程。同时，该器件对机械应力具有较强抵抗能力，减少了因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险。整体设计兼顾高性能、高可靠性和量产适用性，是现代电子设备中不可或缺的关键被动元件之一。
CK21254R7M-T广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于对电源质量要求较高的场合。在DC-DC转换器中，常用于输入和输出滤波环节，凭借其大容量和低ESR特性，能有效平滑输入电流波动并降低输出电压纹波，提高电源转换效率。在FPGA、ASIC、微处理器和DSP等数字集成电路的供电网络中，该电容作为去耦电容部署于芯片电源引脚附近，快速响应瞬态电流需求，防止电压跌落和电磁干扰传播，保障系统稳定运行。在工业控制系统中，可用于PLC模块、传感器信号调理电路和隔离电源单元中，提供稳定的滤波支持。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备也大量采用此类电容进行电源管理和音频信号耦合。此外，在LED驱动电源、汽车电子模块（如车身控制模块、车载信息娱乐系统）以及通信基站电源单元中也有广泛应用。由于其宽温特性和高可靠性，该器件还能满足部分汽车级和工业级应用的需求。在射频和模拟前端电路中，可作为耦合电容或滤波元件，配合其他无源器件构建高性能信号链路。总体而言，CK21254R7M-T凭借其优良的电气性能和稳定的物理特性，已成为现代高密度电子设计中的主流选择之一。
