时间：2025/8/16 22:29:08
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CJU80SN10 是一款由东芝（Toshiba）推出的高耐压、大电流N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率开关电路中。该器件采用先进的U-MOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合在高频率开关应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：80A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247（H）
极数：3（漏极、栅极、源极）
CJU80SN10 具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。
其高耐压特性（Vds=100V）使其适用于多种中高功率电源系统。
采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和散热能力，适合大电流工作条件。
该器件支持高速开关操作，适用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。
内置的体二极管具备良好的反向恢复特性，有助于减少开关损耗。
此外，CJU80SN10具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级应用环境。
CJU80SN10 主要应用于各种电源系统中，如服务器电源、通信电源、UPS不间断电源、电池管理系统、电动工具、电机驱动器、DC-AC逆变器等。
由于其高电流容量和低导通电阻，该器件也常用于同步整流器和负载开关电路。
此外，该MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和DC-DC转换模块。
TK80E10K, SiR876DP, IRF3710, STP80NF10
