类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：170W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

CJU50SN10 MOSFET具有多项优良的电气和机械特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏极电压为100V，最大漏极电流为50A，能够承受较大的电压和电流应力，适合用于高功率密度的设计。此外，其导通电阻（Rds(on)）约为7.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，该MOSFET的封装形式为TO-247，这种封装具有良好的热管理和机械稳定性，便于安装和散热，适用于需要长时间稳定运行的工业设备。
　　再者，CJU50SN10的工作温度范围为-55°C至175°C，具备良好的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下正常工作，适用于汽车电子、工业电源、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等多种应用。
　　最后，该器件还具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。同时，MOSFET的栅极驱动简单，易于与各种控制电路配合使用，提高了设计的灵活性。

CJU50SN10 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。首先，在电源管理系统中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS），该器件用于高效的能量转换和调节。
　　其次，在电机控制和驱动系统中，如无刷直流电机（BLDC）和伺服电机控制，CJU50SN10用于实现精确的速度和扭矩控制，并提供高可靠性和效率。
　　此外，在工业自动化设备中，如变频器和可编程逻辑控制器（PLC），该MOSFET用于高频率的开关操作，确保系统的稳定性和响应速度。
　　在汽车电子领域，CJU50SN10可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS），提供高可靠性和耐久性。
　　最后，在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电控制器，该器件用于高效的能量转换和管理，提高系统的整体效率和稳定性。

SiHF50N100D, IPP50N10S4-03, FDP50N10