类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：-60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-50A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为9.5mΩ（VGS=-10V）
　　功率耗散(PD)：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

CJU50P06采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在同类产品中具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗并提高了系统效率。该器件的高电流容量（-50A）和良好的热管理能力，使其在高功率应用场景中表现出色。此外，CJU50P06的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了其在不同应用中的兼容性和可靠性。
　　该MOSFET具备良好的短路耐受能力，能够在高负载条件下提供稳定的性能。同时，CJU50P06的封装设计（如TO-252或TO-263）支持表面贴装工艺，有助于提高PCB布局的灵活性和散热性能。由于其高功率密度和紧凑的封装，CJU50P06非常适合用于空间受限但需要高功率输出的设计。
　　在安全性和可靠性方面，CJU50P06具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的保护。这使得该器件适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

CJU50P06广泛应用于各种高功率电子设备中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统（BMS）。由于其高效率和低导通电阻，CJU50P06特别适合用于需要高功率密度和高能效的电源系统，如服务器电源、通信设备电源和工业自动化控制系统。
　　在汽车电子领域，CJU50P06可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和48V轻混系统中的电源管理模块。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、储能系统和电机驱动器等应用，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
　　对于便携式电子设备和锂电池供电系统，CJU50P06的低导通电阻和高效率特性有助于延长电池续航时间并减少发热，适用于高功率手持设备、无人机和机器人等应用。

Si9410BDY-T1-GE3, IRF9540N, FDP050N06