CJU04N70B 时间：2025/8/16 23:08:18 阅读：28

CJU04N70B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等高功率电子设备中。这款MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。CJU04N70B的额定电压为700V，适合于需要高电压承受能力的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：4A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252等常见功率封装

特性

CJU04N70B具备多项优良特性，使其适用于各种高电压和中等功率的应用。首先，其700V的漏源电压额定值确保了在高压环境下的稳定运行，适用于诸如AC-DC电源转换器和PFC（功率因数校正）电路。其次，该器件具有较低的导通电阻，在Vgs=10V时通常约为2.5Ω，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，CJU04N70B的封装设计（如TO-220）提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。
　　该MOSFET还具备较高的栅极击穿电压（±30V），增强了抗静电能力和在高电压瞬态条件下的可靠性。同时，其连续漏极电流额定值为4A，适用于中等功率的开关应用。器件的热阻（Rth）较低，能够有效将热量传导至散热器或PCB板上，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。最后，CJU04N70B的制造工艺确保了良好的一致性与长期稳定性，是工业级和消费类电子设备中的理想选择。

应用

CJU04N70B主要应用于以下类型的电子设备和系统中：首先是开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、电源供应器和LED驱动器，其高压能力和低导通电阻使其非常适合用于功率转换电路。其次，CJU04N70B可用于DC-DC转换器，特别是在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑中作为主开关元件。此外，该器件也可用于电机驱动电路、电子镇流器、逆变器以及光伏（太阳能）系统中的功率控制部分。
　　在消费类电子产品中，CJU04N70B常用于充电器、智能家电和LED照明系统中的功率管理部分。工业自动化设备、变频器和不间断电源（UPS）也是其典型应用领域。由于其封装形式多样，便于安装在不同类型的PCB上，因此也被广泛应用于各类中高压功率电路中。