CJU04N60 时间：2025/8/17 3:15:02 阅读：7

CJU04N60是一款由CJ（长电科技）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用场景。CJU04N60采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：4A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功耗（PD）：50W
　　栅极电荷（Qg）：约12nC
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V

特性

CJU04N60具备优异的功率处理能力和高效的开关性能。其600V的漏源耐压能力使其适用于中高功率的开关电源应用。导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统的整体响应速度。
　　CJU04N60的TO-252封装形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，确保器件在较高负载下仍能保持稳定工作。其栅极驱动特性友好，适用于常见的驱动电路设计，降低了驱动电路的复杂性。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性和较长的使用寿命，适用于各种工业控制、消费电子和电源管理系统。同时，其宽泛的工作温度范围也使其适用于环境较为苛刻的应用场景。