CJU02N60是一款由CJ(Chip Jin)公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场合。该器件采用了先进的高压MOSFET制造工艺,具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,适合中高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2A
导通电阻(Rds(on)):≤3.5Ω(典型值)
功率耗散(Pd):30W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、TO-252等
CJU02N60具有多项优异的电气和物理特性,适用于多种功率电子系统。其主要特点包括:
1. **高耐压能力**:该MOSFET的漏源击穿电压(Vds)达到600V,使其适用于高压电源转换应用,如开关电源(SMPS)和AC-DC转换器。
2. **低导通电阻**:Rds(on)的典型值低于3.5Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率,尤其在高电流条件下表现更为突出。
3. **强抗雪崩能力**:内置抗雪崩保护设计,使得器件在过压或瞬态电压冲击下仍能保持稳定运行,提升整体系统的可靠性。
4. **高可靠性与稳定性**:采用成熟稳定的高压MOSFET制造工艺,确保在各种工作条件下长期稳定运行。
5. **热性能优异**:30W的功率耗散能力结合良好的封装散热设计,使得该器件在持续高负载应用中具备良好的热管理表现。
6. **广泛的工作温度范围**:-55°C至+150°C的宽温度范围,支持在极端环境下的稳定工作,适用于工业级和车载电子应用。
7. **灵活的封装形式**:提供TO-220、TO-252等多种封装形式,便于根据不同的PCB布局和散热需求进行选型和安装。
CJU02N60适用于多种需要中高压功率开关的电子系统,典型应用包括:
1. **开关电源(SMPS)**:作为主开关器件,用于反激式或正激式拓扑结构中的功率转换。
2. **AC-DC转换器**:在电源适配器、充电器等设备中实现高效的交流到直流转换。
3. **DC-DC转换器**:用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,实现高效的电压调节。
4. **马达驱动与负载开关**:在电机控制、继电器替代和LED驱动等应用中作为高速开关使用。
5. **工业控制与自动化设备**:如PLC(可编程逻辑控制器)、变频器和电源管理系统等。
6. **家电与消费类电子产品**:用于电源管理和功率调节模块,提高能效并减小设备体积。
7. **车载电子系统**:如车载充电器、电源逆变器等,利用其高可靠性和宽温范围适应车载环境。
FQP2N60C, 2N60, K2645, IRF730, STP2NA60