时间：2025/8/16 12:37:09
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CJPF55P30 是一款由华润微电子（China Resources Microelectronics）推出的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于CJPF系列。该系列MOSFET专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热稳定性。CJPF55P30采用先进的平面工艺技术制造，具备优良的开关性能和导通损耗特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化等场景。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds)：-30V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：-55A
导通电阻(Rds(on))：≤ 6.5mΩ（在Vgs = -10V）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散(Pd)：150W
CJPF55P30具有多项优异的电气和热性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，该器件采用了先进的平面工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。其典型值为6.5毫欧（mΩ）或更低，在Vgs = -10V的条件下能够支持大电流工作，适用于高功率密度设计。
其次，CJPF55P30具有高达-30V的漏极电压耐受能力，适用于多种低压大电流应用环境。其栅极设计支持±20V的栅极电压范围，增强了在不同驱动电路中的兼容性与稳定性。
此外，该MOSFET采用TO-263（D2PAK）封装，具备良好的散热性能和热稳定性，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。其最大功率耗散为150W，适用于高负载和连续工作的工业级应用。
最后，CJPF55P30在开关性能方面也表现出色，具备快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
CJPF55P30广泛应用于各类需要高效功率管理的电子系统中。例如，在电源模块中，它可用于同步整流、负载开关或DC-DC降压/升压转换器，以提高能量转换效率；在工业控制设备中，该器件可作为电机驱动电路的一部分，提供稳定可靠的高电流输出；在通信设备中，CJPF55P30可以用于电源管理系统，实现高效的电压调节和电源分配；此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电器、起停系统）以及其他需要高可靠性和高效率的电力电子装置。
Si4435BDY, IRF9540NPBF, FDPF55P30
