类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：800V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

CJPF08N80具备一系列优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（800V Vds）使其非常适合在高电压环境中工作，如AC/DC电源适配器和工业控制设备。其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）≤0.45Ω，在工作过程中可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，CJPF08N80采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具有较强的热稳定性，能够承受较高的工作温度（最高可达150°C），在高温环境下依然保持良好的性能。其栅极设计支持较高的栅源电压（±30V），提高了器件的抗干扰能力和控制灵活性。CJPF08N80还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
　　在封装方面，CJPF08N80通常采用TO-220和TO-252（DPAK）等标准功率封装形式，便于安装和散热管理。这些封装形式具有良好的热导性能，有助于将工作过程中产生的热量迅速导出，从而提高器件的长期运行稳定性。

CJPF08N80广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于开关电源（SMPS）、AC/DC转换器和DC/DC转换器，作为主开关或同步整流器件，提升转换效率。在工业控制设备中，该器件可用于电机驱动、变频器和负载开关控制，提供高效稳定的功率控制能力。
　　该MOSFET也常用于LED照明驱动电源、电池充电器和逆变器中，支持高效率的能量转换。此外，在家电领域，如电磁炉、洗衣机和空调系统中，CJPF08N80可作为功率开关使用，控制高功率负载的通断。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，CJPF08N80也适用于需要高可靠性的工业自动化设备和通信电源系统中，作为关键的功率控制元件。

STP8NM80, FQP8N80, IRF8N80, 2SK2141