时间：2025/8/17 2:11:22
阅读：23
CJPF04N80是一款由CJ（长电科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关等电力电子设备中。该器件采用先进的平面工艺制造，具备良好的导通特性和较高的耐用性。CJPF04N80的封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：4A（在25℃环境温度下）
功耗(Pd)：50W
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω（当Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）
CJPF04N80功率MOSFET具备多项优良特性，适用于多种高电压和中等电流的应用场景。
首先，它的漏源电压高达800V，能够满足高电压应用的需求，例如开关电源中的高压侧开关、工业电源模块以及AC-DC转换器等。此外，其栅源电压容限为±30V，确保了在复杂电磁环境下栅极控制的稳定性和可靠性。
其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)典型值为2.5Ω，在Vgs=10V时具有较低的导通损耗，从而提高了整体效率并减少了发热问题。同时，其最大连续漏极电流为4A，在25℃环境下可以满足多数中功率开关应用的需求。对于需要更高电流的应用场景，可以通过并联多个MOSFET来实现。
另外，CJPF04N80采用TO-220或TO-263封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合焊接在标准PCB上，并可借助散热片进一步提升散热效果。其工作温度范围为-55℃至150℃，适用于较宽的工业环境条件，确保了在各种应用场合下的稳定运行。
最后，该器件通过了多项国际质量与可靠性认证，符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。
CJPF04N80广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高电压、中等电流控制的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关或同步整流电路，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，为各类电子设备提供稳定的直流电压输出。
此外，CJPF04N80还可用于工业自动化控制设备、LED照明驱动电源、电池充电器以及电动工具等应用中。其高耐压特性使其成为离线式电源（如适配器、充电器）中的理想选择，能够有效减少外围电路的复杂度，提高整体系统的可靠性和效率。
在一些特定的家电产品中，例如电磁炉、微波炉等，CJPF04N80也可用于控制高功率负载的开关操作，实现节能与精准控制。由于其封装形式便于安装和散热，也适合用于模块化电源设计和散热要求较高的应用场景。
FQP4N80、IRF740、STP4NK80Z、2SK2141
