CJPF04N60A是一款由华润微电子(China Resources Microelectronics)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面工艺技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性等特点。CJPF04N60A广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):≤2.5Ω(典型值)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220、TO-252等
CJPF04N60A具有多项优异的电气和物理特性,首先其600V的漏源击穿电压使其适用于高压应用场景,能够满足大多数电源系统的电压需求。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为2.5Ω,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,CJPF04N60A采用了先进的平面工艺技术,具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温度环境下稳定工作。
器件的栅极驱动电压范围为±20V,具有较强的抗干扰能力,同时栅极电荷量较低,有助于加快开关速度,减少开关损耗。该MOSFET在封装上提供TO-220和TO-252等多种选择,便于根据应用需求进行散热设计和PCB布局。此外,CJPF04N60A还具备优异的雪崩能量承受能力,增强了器件在高能脉冲环境下的可靠性。
CJPF04N60A由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,广泛应用于各类电力电子设备中。常见应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明电源、UPS系统以及工业自动化控制设备。此外,该MOSFET也适用于新能源领域,如光伏逆变器、储能系统中的功率转换模块等,能够有效提升系统的整体效率和稳定性。
在消费类电子产品中,如电源适配器、充电器、智能家电的电源管理模块中,CJPF04N60A也具有良好的应用表现。其优异的开关特性和热管理能力,使其在高频开关应用中表现出色,有助于减小系统体积和提升能效。
FQP4N60C、IRF740、STP4NK60Z、2SK2141