CJL3407 是一款常用的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC 转换器等电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和良好的热稳定性。CJL3407 通常封装在 TO-252(DPAK)或 SOP-8 等表面贴装封装中,适用于中低功率的开关控制应用。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):4.8A(在 VGS=10V)
最大漏极-源极电压(VDS):30V
最大栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻 Rds(on):≤ 33mΩ(在 VGS=10V)
功耗(PD):2.5W(TO-252 封装)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-252(D-PAK)、SOP-8
CJL3407 具有优异的导通性能和快速开关特性,适用于高效率电源系统。其低导通电阻 Rds(on) 使得在大电流工作时功耗更低,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。CJL3407 的栅极驱动电压范围较宽,通常可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,便于与多种驱动电路兼容。其封装形式(如 TO-252 或 SOP-8)适合表面贴装工艺,有利于自动化生产和散热设计。该器件还具备较强的短时过载能力,适用于各类 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用场景。
此外,CJL3407 在设计中采用了沟槽式 MOSFET 结构,有助于降低导通电阻并提升开关速度,从而进一步提高系统的能效。其封装设计也便于在 PCB 上布置和散热管理,适用于需要紧凑设计的电子产品,如笔记本电脑、移动电源、电池管理系统(BMS)等。在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中均有广泛应用。
CJL3407 主要用于各种电源管理系统和开关电路中。常见应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及各种中低功率的 MOSFET 开关应用。该器件也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机、电源适配器、LED 驱动电路以及工业自动化控制系统等电子设备中。
Si3442, AO3407, IRLML6402, FDS6680, FDMS3610