时间：2025/8/17 12:51:03
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CJAC13TH06是一款由国产厂商生产的功率场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电源管理和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性，能够在高电流和高频率环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：≤6mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
CJAC13TH06 MOSFET采用先进的沟槽式技术，使得其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了效率。该器件的高电流承载能力和良好的热管理性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET具备较高的栅极击穿电压，允许在更宽的控制电压范围内使用，增强了设计的灵活性。
这款MOSFET还具有良好的短路耐受能力和较高的可靠性，适用于各种恶劣工作环境。其封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，便于自动化生产和良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
CJAC13TH06广泛应用于电源管理领域，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电动工具、电动汽车充电模块以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，它能够有效提高系统效率并降低整体功耗。
SiHF60N100E、FDP60N10A、IRF1405、CJAC13TH10
