时间：2025/8/17 1:54:09
阅读：11
CJAB55N03是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点。CJAB55N03采用先进的沟槽工艺技术制造，能够在高频率和高负载条件下提供卓越的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：5.5A
导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（最大值）
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SOT-223
CJAB55N03采用了先进的沟槽工艺技术，使其在导通电阻和开关损耗方面表现出色。该器件的低导通电阻（RDS(on)）仅为55mΩ，在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，CJAB55N03具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，确保系统的可靠性。
该MOSFET的栅极氧化层设计增强了器件的抗过压能力，使得其在高电压条件下仍能保持良好的工作状态。CJAB55N03的快速开关特性使其适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。其SOT-223封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合高密度电路设计。
在安全性和保护方面，CJAB55N03具备较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。这使得它在电源管理、电机驱动和电池管理系统等应用中具有很高的适用性。
CJAB55N03广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。其低导通电阻和高效率特性使其成为高频率开关电源和节能型电子设备的理想选择。此外，CJAB55N03还可用于工业自动化控制系统、消费类电子产品和汽车电子系统等领域。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, NDS355AN
