类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：25A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CJAB25N04S 的核心优势在于其采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中表现出色。其导通电阻非常低，仅为4.5mΩ，在25A的连续漏极电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
　　此外，该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压，提高了在复杂电磁环境下的稳定性和抗干扰能力。漏源电压额定值为40V，适合48V以下的电源系统，例如电信设备、工业自动化、电动工具和电池供电系统。
　　在封装方面，CJAB25N04S 使用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理性能，有助于快速散热，确保在高负载条件下的可靠性。其100W的最大功耗能力使其在紧凑型设计中也能满足高功率需求。
　　该MOSFET的温度范围覆盖-55°C至+150°C，适合在极端环境条件下使用，例如户外设备或工业控制应用。同时，其封装形式便于焊接和自动化装配，适用于SMT（表面贴装技术）生产工艺。

CJAB25N04S 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：用于提高转换效率并减小电感器尺寸。
　　2. 电源管理模块：适用于服务器、通信设备和嵌入式系统中的高效电源设计。
　　3. 电机控制：用于H桥驱动、直流电机或步进电机的开关控制。
　　4. 负载开关：用于电源管理系统中的高电流开关控制，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理。
　　5. 电池管理系统（BMS）：用于电动车、储能系统和便携式设备的充放电控制。
　　6. 工业控制系统：如PLC、工业计算机、自动化设备中的功率开关应用。

SiSS25N04S, AO4406, IRFZ44N, IPD25N04S