CJ52BF 时间：2025/12/27 17:21:41 阅读：22

CJ52BF是一款由华润微电子推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等场景。该器件基于先进的沟槽栅技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。CJ52BF封装形式通常为TO-252（DPAK），适合表面贴装，具备良好的散热性能，适用于中等功率级别的应用场合。该MOSFET设计用于在高效率、小体积和低成本的电源系统中替代传统双极型晶体管或其他性能较低的MOSFET产品。其主要优势在于优化了动态参数，如栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体能效。此外，CJ52BF符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环境友好型元器件的需求。

参数

型号：CJ52BF
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　功耗（Pd）：250W（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ @ Vgs=10V, Id=30A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ @ Vgs=4.5V, Id=30A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：1100pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

CJ52BF采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具备极低的导通电阻，这使得其在大电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统整体效率。其Rds(on)典型值仅为1.7mΩ，在同级别N沟道MOSFET中处于领先水平，尤其适用于需要高电流密度和低发热的设计场景。该器件的栅极电荷（Qg）经过优化，典型值约为60nC，有助于减少驱动电路的能量消耗并提升开关频率能力，使其非常适合高频DC-DC转换器、同步整流和电池管理系统等应用。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和可靠性，得益于其TO-252封装所具有的优良散热特性，能够在较高结温下持续运行而不会发生性能退化。同时，其最大结温高达+175℃，表明其在高温环境下仍可保持稳定工作，增强了在恶劣工业或汽车环境中使用的适应性。体二极管的反向恢复时间较短（trr=28ns），有效减少了在感性负载切换过程中的反向恢复电荷，抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的安全性与稳定性。
　　此外，CJ52BF内部结构经过优化，具有较强的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力，可在瞬态过载条件下提供一定程度的自我保护。其阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换即可直接驱动。整体设计兼顾了高性能、高可靠性和易用性，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

应用

CJ52BF广泛应用于各类中高功率电源系统中，尤其适合需要高效能、低损耗和紧凑设计的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压变换器、同步整流模块、电动工具电池包保护电路、电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源、工业电机驱动控制板以及UPS不间断电源系统等。由于其低Rds(on)和高电流承载能力，常被用于主开关管或同步整流开关，显著提升能量转换效率。
　　在电池管理系统（BMS）中，CJ52BF可用于充放电回路的通断控制，凭借其低导通压降，可减少热量积累，延长电池使用寿命。在逆变器和H桥驱动电路中，该器件能快速响应开关指令，配合死区控制实现精确的PWM调制，确保电机平稳运行。此外，其TO-252封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造，因此也常见于消费类电器、通信设备电源模块及LED驱动电源中。
　　考虑到其优异的热性能和电气参数，CJ52BF还可用于汽车电子中的低压配电单元或车载加热元件控制，满足AEC-Q101基本可靠性要求的应用场景（需确认具体认证状态）。总体而言，凡涉及60V以下电压等级、要求高效率和高可靠性的功率开关应用，CJ52BF均是一个极具竞争力的解决方案。