类型：N沟道MOSFET
　　工作电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：5.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V Vgs= 45mΩ（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V

CJ2303具有多项优异的电气特性，首先其低导通电阻确保在导通状态下功耗最低，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的4.5V至10V驱动电压，适用于多种控制电路设计。
　　此外，CJ2303具备较高的电流承载能力，在SOT-23封装下可支持高达5.1A的漏极电流，使得它在小尺寸应用中依然能胜任重载工作环境。
　　其高开关速度和短延迟时间也使其非常适合用于高频开关应用，如PWM控制、DC-DC转换器等。
　　器件还内置一定的热保护能力，在正常工作条件下具有良好的稳定性和可靠性。CJ2303的SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和散热设计。

CJ2303常用于以下应用场景：
　　1. 负载开关电路：用于控制电源通断，例如在便携式设备、智能电表和电池供电系统中作为开关元件。
　　2. DC-DC转换器：适用于升压（Boost）或降压（Buck）转换电路，提高能量转换效率。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于过流保护、充放电控制等。
　　4. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为功率开关使用。
　　5. 电源管理模块：用于多路电源切换、负载均流等场合。
　　6. LED驱动电路：适用于高亮度LED的调光与开关控制。
　　7. 各类嵌入式系统和消费电子产品中作为高效开关器件。

Si2302DS、2N7002K、AO3400A、IRLML6401、FDS6680、FDV303N、DMN6024L、2N7002W、CJ2302、CJ2305S