时间:2025/12/28 11:03:34
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CINT1200A4875K01是一款由Vishay Semiconductors生产的高电压、高精度的薄膜片式电阻器,专为在严苛环境和高可靠性应用中提供稳定性能而设计。该器件采用先进的薄膜沉积技术制造,具有出色的长期稳定性、低温度系数电阻(TCR)以及优异的耐湿性和抗老化能力。CINT1200A4875K01属于Vishay CINT系列,该系列广泛用于航空航天、国防、医疗设备、测试与测量仪器以及工业控制系统等对可靠性和精度要求极高的领域。其小型化表面贴装封装使其适用于高密度PCB布局,同时仍能承受较高的工作电压和功率负荷。该电阻器经过严格筛选和测试,符合军用标准和高可靠性质量等级,适合在极端温度变化、振动和高海拔环境中使用。此外,CINT1200A4875K01具备良好的焊接可靠性和可制造性,兼容标准回流焊工艺,确保在大规模生产中的良率和一致性。
型号:CINT1200A4875K01
制造商:Vishay
产品系列:CINT
电阻值:48.75 kΩ
容差:±0.1%
额定功率(+70°C):1 W
最大工作电压:1000 V
最高过载电压:1200 V
温度系数(TCR):±5 ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +155°C
尺寸(英寸):0.250" x 0.125" (6.35 mm x 3.18 mm)
尺寸(公制):6412(EIA)
端接类型:焊接
基板材料:陶瓷
电阻膜材料:薄膜镍铬(NiCr)
封装类型:表面贴装器件(SMD)
CINT1200A4875K01的核心特性之一是其卓越的电阻稳定性,这得益于其采用的高质量薄膜镍铬(NiCr)电阻层和精密光刻调阻工艺。在整个工作温度范围内(-55°C 至 +155°C),该电阻器能够保持±0.1%的初始容差,并且在长期运行中表现出极低的阻值漂移。这种稳定性源于其严格的制造流程和高温老化处理,确保器件在投入使用后不会因时间或热应力导致显著性能退化。
另一个关键特性是其极低的温度系数电阻(TCR),仅为±5 ppm/°C。这意味着在温度波动较大的应用中,例如航空航天电子系统或深井钻探设备,该电阻器的阻值变化极小,从而保证了电路的精度和可重复性。低TCR还减少了因自热效应引起的测量误差,使其非常适合用于精密分压器、反馈网络和高精度传感器接口电路。
该器件具备高达1000 V的最大工作电压和1200 V的过载电压能力,使其能够在高压电源、脉冲发生器和X射线设备等应用中安全运行。其陶瓷基板和致密的玻璃钝化层提供了出色的耐湿性和抗污染能力,满足MIL-PRF-55342等军用规范的要求。此外,CINT1200A4875K01通过了严格的寿命测试和环境应力筛选,包括高温存储、温度循环和负载寿命测试,确保在关键任务系统中的长期可靠性。
CINT1200A4875K01广泛应用于对精度、稳定性和可靠性要求极为严苛的高端电子系统中。在航空航天和国防领域,它常用于飞行控制系统、雷达信号调理电路、惯性导航系统和导弹制导模块中的精密分压网络和反馈回路。由于其宽温域和高抗振性能,该电阻器能在极端环境下维持电路性能稳定。
在医疗设备方面,CINT1200A4875K01被用于CT扫描仪、MRI系统和患者监护仪中的高压检测和信号采集电路,确保诊断数据的准确性和安全性。其低噪声和高绝缘特性有助于减少干扰,提高成像质量。
在工业自动化和测试测量设备中,该器件用于高精度数据采集系统、数字万用表(DMM)、校准仪器和电源管理系统。其长期稳定性减少了定期校准的需求,降低了维护成本。此外,在石油和天然气勘探设备中,该电阻器用于高温井下仪器,能够在超过150°C的环境中持续工作而不失效。
由于其符合RoHS和REACH环保标准,并具备高抗硫化能力,CINT1200A4875K01也适用于部署在恶劣工业环境中的控制模块和通信接口单元。