时间：2025/11/11 15:49:06
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CIL21J2R7KNE是一种多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的滤波、去耦和旁路等应用。该器件由知名制造商生产，具有高可靠性和稳定性，适用于多种工业和消费类电子产品。CIL21J2R7KNE采用先进的陶瓷材料和制造工艺，确保了其在各种环境条件下的优异性能。该电容器的标称电容值为2.7pF，额定电压为50V，适用于高频和射频电路中。其小型化设计使其非常适合在空间受限的应用中使用，同时保持了良好的电气性能。CIL21J2R7KNE符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适合环保要求较高的应用场景。此外，该器件经过严格的测试和验证，确保在长期使用过程中具有出色的稳定性和可靠性。
电容：2.7pF
容差：±10%
额定电压：50V
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
介质材料：陶瓷
绝缘电阻：≥10000MΩ
损耗角正切（tanδ）：≤0.001
温度系数：0±30ppm/°C
CIL21J2R7KNE所采用的C0G（NP0）陶瓷介质材料是目前最稳定的电容器介质之一，具备极低的介电常数随温度、电压和时间的变化率。这意味着该电容器在整个工作温度范围内几乎不会发生电容值漂移，从而保证了电路的稳定性与精度，特别适用于对频率稳定性要求极高的振荡器、滤波器和射频匹配网络。
该器件的容差控制在±10%，相较于普通J级误差产品更具精确性，能够在精密模拟电路中发挥关键作用。同时，其高达50V的额定电压使得它不仅可用于低压信号线路的耦合与去耦，也能在部分中压环境中安全运行，提升了使用的灵活性。
由于其0402小型封装（1.0mm × 0.5mm），CIL21J2R7KNE非常适合高密度贴装的印刷电路板设计，广泛应用于智能手机、无线通信模块、可穿戴设备及物联网终端等对空间极为敏感的产品中。尽管体积微小，但其结构设计优化了机械强度和抗热冲击能力，在回流焊过程中表现出良好的耐受性，降低了因焊接应力导致的开裂风险。
此外，该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频响应性能，减少能量损耗，增强去耦效果。其绝缘电阻大于10000MΩ，漏电流极小，适用于高阻抗和低功耗电路。整体而言，CIL21J2R7KNE是一款高性能、高稳定性的高频陶瓷电容，兼顾小型化与可靠性，满足现代电子系统日益增长的小型化和高性能需求。
CIL21J2R7KNE广泛应用于高频和射频电子电路中，尤其是在需要高稳定性和低损耗的场合。典型应用包括无线通信设备中的射频匹配网络、天线调谐电路以及LC振荡器中的谐振电容，因其C0G特性可有效防止频率偏移，提高信号传输质量。
在高速数字系统中，该电容器常用于电源去耦和噪声滤波，特别是在微处理器、FPGA和ASIC的供电引脚附近，能够快速响应瞬态电流变化，抑制电压波动，保障芯片稳定运行。
此外，该器件也适用于各类传感器信号调理电路、精密放大器输入端耦合、滤波器设计以及医疗电子设备中对长期稳定性有严格要求的部分。得益于其无磁性、低老化率和良好的耐湿性，CIL21J2R7KNE还可用于汽车电子控制系统、工业自动化模块以及航空航天领域的高可靠性电子装置。
随着5G通信、毫米波技术和物联网的发展，对微型化、高性能MLCC的需求持续增长，CIL21J2R7KNE凭借其优良的高频特性和环境适应能力，成为众多高端电子产品的优选元件之一。
GRM1555C1H2R7KA81D
CC0402JRNPO9BN2R7
RLUP18NPO2R7KV4S
