型号：CIG21L4R7MNE
　　制造商：KEMET (Yageo)
　　封装/外壳：0805（2012mm）
　　电容值：4.7μF
　　额定电压：6.3V DC
　　介电材质：X5R
　　温度范围：-55°C ~ +85°C
　　电容容差：±20%
　　端接类型：镍钯端电极（Ni/Pd），兼容无铅焊接
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　直流偏压特性：在6.3V偏压下，实际可用电容值会因介电非线性而有所下降，典型值约为标称值的60%-70%
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于10mΩ
　　ESL（等效串联电感）：典型值约0.4nH
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS合规，无卤素（Halogen Free）

CIG21L4R7MNE作为一款高性能表面贴装多层陶瓷电容器，具备多项关键特性以满足现代电子设计对小型化、高可靠性和高效能的需求。
　　首先，该器件采用了先进的X5R型陶瓷介质材料，这种材料在宽温度范围内表现出优异的稳定性。在-55°C到+85°C的温度区间内，电容值的变化控制在±15%以内，确保了在不同环境条件下的电气性能一致性，尤其适用于温变剧烈或长期运行于非理想环境的应用场景。
　　其次，CIG21L4R7MNE实现了在0805小型封装中集成高达4.7μF的电容容量，这得益于KEMET成熟的多层堆叠技术和高介电常数陶瓷材料的应用。尽管其额定电压仅为6.3V DC，但在低压DC-DC转换器输出滤波、CPU供电去耦、FPGA电源轨稳定等场合仍具有极高实用价值。值得注意的是，由于铁电陶瓷材料（如X5R）具有电压依赖性，施加直流偏压会导致有效电容下降，因此在实际应用中需参考厂商提供的偏压曲线进行降额设计。
　　此外，该电容器采用镍钯（Ni/Pd）端电极结构，增强了抗硫化能力，提高了在恶劣工业环境中的长期可靠性。同时，其端子与无铅焊料完全兼容，支持回流焊工艺，适应现代绿色制造要求。产品通过AEC-Q200认证的可能性较高（具体需查证最新规格书），可用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　最后，CIG21L4R7MNE具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，使其在高频噪声抑制方面表现优异，能够有效滤除开关电源产生的高频纹波，提升系统电磁兼容性（EMC）性能。

CIG21L4R7MNE主要应用于需要高体积效率和稳定电容性能的电子电路中。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电容器常用于处理器核心电源的去耦和稳压，配合其他小容值电容构成多级滤波网络，以应对快速变化的动态电流需求。其小尺寸和高容量特性有助于节省PCB空间，提高集成度。
　　在通信模块和射频前端电路中，CIG21L4R7MNE可用于电源轨的低通滤波，减少噪声对敏感模拟电路的影响，从而提升信号完整性和传输质量。此外，在Wi-Fi模组、蓝牙芯片及IoT节点设备中，它也广泛用于LDO或DC-DC转换器的输入/输出端滤波。
　　工业控制和自动化设备中，该器件被用于PLC模块、传感器接口电路和微控制器单元（MCU）的电源管理部分，提供稳定的局部储能和瞬态响应能力。由于其具备一定的抗环境应力能力，可在较宽温度范围内保持功能正常。
　　在汽车电子领域，尽管高压大容量需求通常由更大封装器件满足，但CIG21L4R7MNE仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的低压电源网络中，尤其是在空间受限的设计中发挥优势。只要工作电压和机械应力在允许范围内，它可以为系统提供可靠的去耦支持。
　　总之，凡是需要在紧凑空间内部署中等容量、中低电压去耦电容的场合，CIG21L4R7MNE都是一个极具竞争力的选择。

GRM21BR60J475ME15L
　　CL21A475KOQNNNE
　　C1608X5R0J475M