产品系列：CI2012
　　封装尺寸：2.0mm × 1.2mm × 1.0mm（EIA 0805）
　　标称电感值：5.6nH
　　允差：±0.3nH（D级）
　　额定电流（Irms）：2.8A（典型值）
　　直流电阻（DCR）：45mΩ（最大值）
　　自谐振频率（SRF）：≥3.5GHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
　　焊接方式：回流焊（符合J-STD-020标准）
　　磁屏蔽结构：有（闭磁路设计）
　　基材：陶瓷基体+银/钯内电极
　　端电极：三层电极结构（Ag/Ni/Sn）
　　感值测试条件：100MHz, 0.1Vrms

CI201210-5N6D采用独特的多层陶瓷与金属内电极交错堆叠结构，结合高温共烧工艺（HTCC），实现了在极小封装下兼具高饱和电流与低直流电阻的优异性能。其内部采用闭磁路设计，有效抑制漏磁通，显著降低电磁干扰（EMI），特别适用于高密度PCB布局环境。材料选择上使用高纯度氧化铝陶瓷基板与贵金属银钯合金作为导电内电极，确保了长期热稳定性与机械强度，在反复热循环中不易产生裂纹或脱层现象。该电感器具有非常宽的自谐振频率范围，通常可达3.5GHz以上，使其在高频段仍能保持良好的阻抗特性，适用于GHz级别的射频匹配网络和高速数字信号路径中的噪声滤波。此外，其电感值在不同电流负载条件下变化较小，表现出优良的直流偏置特性，能够保障电源转换系统的稳定运行。器件表面采用三层端电极工艺（银-镍-锡），增强了可焊性与耐腐蚀能力，支持无铅回流焊接工艺，适应现代绿色制造需求。整个制造过程遵循严格的品质控制体系，每批次产品均经过全检测试，确保电感值、DCR和绝缘性能的一致性。同时，该型号具备出色的抗机械应力性能，即使在振动或冲击环境中也能维持电气参数稳定，适用于手持设备、可穿戴装置及车载电子等复杂工况场景。
　　此外，CI201210-5N6D在高频开关电源中表现突出，尤其是在同步降压型DC-DC变换器中用作功率电感时，其低损耗特性有助于提高整体能效，减少发热问题。相比传统绕线式电感，该器件体积更小、高度更低，有利于终端产品实现轻薄化设计。由于其频率响应平坦且Q值较高，在射频前端模块中也可用于阻抗匹配、LC谐振电路构建等应用，满足5G通信模块对高频元件小型化与高性能的双重需求。整体而言，这款电感融合了先进材料技术与精密制造工艺，是现代高频高功率密度电子系统中理想的磁性元件解决方案。

CI201210-5N6D广泛应用于各类高频、大电流的电源管理电路和射频系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备的DC-DC转换器，用于电压调节模块（VRM）中的储能电感，提供高效能的能量传输。在射频前端模块（RF Front-End Module）中，该电感可用于功率放大器（PA）的匹配网络、天线调谐电路以及滤波器组件，凭借其高频特性和稳定的电感值表现，支持2.4GHz、5GHz乃至更高频段的无线通信标准，如Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x和5G NR。此外，该器件也适用于TDD-LTE/LTE-A射频开关电路中的扼流配置，起到隔离噪声与稳定偏置的作用。在电源管理系统中，常用于POL（Point-of-Load）转换器、LDO输入滤波、CPU/GPU核心供电环路等关键位置，帮助提升动态响应速度与电压稳定性。由于其具备良好的抗饱和能力和低温升特性，也可用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电路以及小型化快充适配器中的功率电感环节。在工业控制领域，该型号可用于PLC模块、传感器供电单元及嵌入式处理器电源部分。随着汽车电子向智能化发展，该电感也被逐步引入车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源轨和车载无线充电模块中，配合AEC-Q200认证体系确保长期运行可靠性。总体来看，CI201210-5N6D适用于所有需要在有限空间内实现高频、高效、低噪声工作的电子系统，尤其适合追求小型化与高性能平衡的设计方案。