您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CHT846BWPT

CHT846BWPT 发布时间 时间:2025/8/11 19:18:42 查看 阅读:16

CHT846BWPT 是一款由 Central Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有良好的性能和可靠性。CHT846BWPT 采用小型 SOT-23 表面贴装封装,适用于现代电子设备中的紧凑型电路设计。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大功耗(Pd):300 mW
  增益带宽积(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):110-800(取决于电流)
  封装类型:SOT-23

特性

CHT846BWPT 是一款性能稳定的 NPN 型晶体管,适用于各种通用电子电路。其主要特性包括高电流增益、快速开关特性和良好的热稳定性。该晶体管可在较宽的温度范围内正常工作,适合工业级应用需求。
  首先,CHT846BWPT 提供了较高的电流增益(hFE),其范围在 110 至 800 之间,具体数值取决于工作电流。这种高增益特性使其非常适合用于信号放大和低功率开关应用。
  其次,该晶体管的开关速度较快,能够支持高频操作,其增益带宽积(fT)为 100 MHz。这使得 CHT846BWPT 可以在数字电路和射频(RF)放大电路中发挥作用,适用于需要快速响应的系统。
  此外,CHT846BWPT 的 SOT-23 封装具有较小的尺寸和良好的热管理能力,便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装支持表面贴装工艺(SMT),提高了生产效率和焊接可靠性。
  该晶体管的最大集电极电流为 100 mA,最大集电极-发射极电压为 30 V,能够承受一定的电压和电流应力,适用于中低功率的电路设计。最大功耗为 300 mW,表明其在正常工作条件下不会产生过多热量,降低了对散热设计的要求。

应用

CHT846BWPT 主要用于通用晶体管应用,包括信号放大、开关控制、逻辑电路和接口电路等。其高频特性使其可用于射频放大器前端或低噪声前置放大器。由于其高可靠性和小尺寸封装,CHT846BWPT 广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等领域。此外,该晶体管也可用于 LED 驱动、继电器控制和传感器信号调理等应用场景。

替代型号

2N3904, BC846, MMBT3904