类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时为1.0mΩ，@VGS=4.5V时为1.5mΩ
　　功耗（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：DFN5x6

CHP2708-0101F的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。其高电流承载能力（80A）和低热阻封装设计，使得该MOSFET能够在高功率密度应用中保持良好的热稳定性。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计，从而减小外围元件的尺寸和成本。
　　该MOSFET采用DFN5x6无铅封装，符合RoHS环保标准，具备良好的散热性能。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如4.5V和10V），便于与各种控制器或驱动器配合使用。在过载或短路条件下，CHP2708-0101F还能保持稳定的工作状态，提供可靠的电路保护能力。
　　此外，该器件的雪崩能量耐受能力较强，可在突发过压情况下提供一定程度的保护。其栅极氧化层设计具有较高的耐用性，确保在长期高频开关操作中仍能保持稳定的电气性能。

CHP2708-0101F广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备，包括但不限于同步整流式DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源管理单元（PMU）以及工业自动化控制系统。其高效能和小尺寸特性使其成为服务器电源、通信设备、便携式电子产品及电动车电源系统中的理想选择。

SiR862DP-T1-GE3, Nexperia PSMN1R0-30YLX