时间：2025/8/22 8:39:43
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CHM2304GP是一款由Catalyst半导体公司生产的双P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）阵列，广泛应用于需要高效能和低电压控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（RDS(ON)）和高开关速度，适用于负载开关、电源管理和电池供电系统等场景。CHM2304GP封装形式为TSSOP，体积小巧，适合空间受限的设计。
类型：P沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大-4.3A（每个通道）
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ @ VGS = -4.5V；23mΩ @ VGS = -2.5V
功耗（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSSOP-8
CHM2304GP的主要特性包括其高效的功率转换能力、低导通电阻，以及优异的热稳定性。该器件在低电压条件下（如3.3V或更低）仍能保持良好的性能，使其适用于便携式设备和低功耗系统。其双通道设计允许独立控制两个负载，提高了系统的灵活性。此外，CHM2304GP具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高整体效率。内置的静电放电（ESD）保护功能也增强了器件的可靠性。
CHM2304GP的封装设计优化了散热性能，使其在高电流应用中仍能保持较低的工作温度。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制器和驱动电路的兼容性。由于其出色的电气特性和可靠性，CHM2304GP被广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。
CHM2304GP适用于多种电子系统，包括移动设备电源管理、计算机外围设备、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统。在笔记本电脑和智能手机中，它常用于管理电池供电电路和负载切换。此外，该器件也适用于需要高效能开关和低功耗设计的物联网（IoT）设备和嵌入式系统。
Si7461DP，IRML6401，TPC8104-H
